表4.1 DS18B20温度值格式表
这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0，这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。
DSl820工作过程包括；初始化、ROM操作命令、存储器操作、命令处理数据。
1、初始化
单总线上的所有处理均从初始化开始
2、ROM操作指令：
总线主机检测到DSl820的存在，便可以发出ROM操作命令之一，这些命令如：
指令 代码
Read ROM(读ROM) [33H]
Match ROM(匹配ROM) [55H]
Skip ROM(跳过ROM) [CCH]
Search ROM(搜索ROM) [F0H]
Alarm search(告警搜索) [ECH]
3、存储器操作命令：
指令 代码
Write Scratchpad(写暂存存储器) [4EH]
Read Scratchpad(读暂存存储器) [BEH]
Copy Scratchpad(复制暂存存储器) [48H]
Convert Temperature(温度变换) [44H]
Recall EPROM(重新调出) [B8H]
Read Power supply(读电源) [B4H]
4、时 序
主机使用时间隙(time slots)来读写DSl820的数据位和写命令字的位
(1)初始化
时序见图4.9主机总线to时刻发送一复位脉冲(最短为480us的低电平信号)接着在tl时刻释放总线并进入接收状态DSl820在检测到总线的上升沿之后等待15-60us，接着DS1820在t2时刻发出存在脉冲(低电平)如图中虚线所示：
图4.9 初始化时序
(2)写时间隙
当主机总线t0时刻从高拉至低电平时就产生写时间隙，从to时刻开始15us之内应将所需写的位送到总线上，DSl820在t0后15-60us间对总线采样若低电平写入的位是0，若高电平写入的位是1，见图4.10，连续写2位间的间隙应大于1us。
图4.10 写时序
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