一、课题的任务内容：
本课题主要研究BSO晶体以及掺Ge浓度为5at%的BSO晶体的生长，利用二步法合成BSO原料，采用坩埚下降法生长出BSO晶体和Ge:BSO晶体。对Ge:BSO晶体进行冷加工制成样品，测试其发光衰减时间和发射光谱，探究Ge掺杂对BSO晶体光学性能的影响。
二、原始条件及数据：
验室前期工作已采用坩埚下降法生长了高质量的BSO晶体，具备晶体生长的技术和条件。
三、设计的技术要求（论文的研究要求）：
1. 要求掌握马弗炉的使用，能够利用二步法合成BSO原料；
2. 要求掌握坩埚下降法生长掺杂BSO晶体和Ge:BSO晶体；
3. 要求掌握X射线定向仪对晶面进行定向的基本操作；
4. 要求掌握Ge:BSO晶体的发射光谱和衰减时间谱图的分析。
四、毕业设计（论文）应完成的具体工作：
1.利用二步合成法制备BSO以及Ge:BSO原料，并采用XRD试验分析其固相反应的完全程度；
2.采用坩埚下降法生长出BSO以及Ge;BSO晶体；
3.对生长的Ge:BSO晶体进行冷加工制样，并对加工晶面进行定向分析；
4.对制备的样品进行发射光谱和衰减时间光谱测试。本文来自辣\文/论^文?网，
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软硬件名称、内容及主要的技术指标（可按以下类型选择）：
五、查阅文献要求及主要的参考文献：
[1] Ishii M,et al.Heavy Scintill.Sci. Ind. Appl. Proc “Cryst.2000”Int.Workshop, 1992, 427
[2] Ishii M, et al. Prog. Crystal Growth and Charact，1991,23:245
[3] Kobayashi M, Morimoto K, Yoshida H, et al.Nucl Instr Meth.1983, 205, 133
[4] Kobayashi M, Morimoto K, Yoshida H, et al.Nucl Instr Meth. Phys. Res. 1996, A372:45
[5] Ishii M, et al.Proceedings of the International Conference on lnocqanic Scintillators and Their Applications, Shanghai, P.R.China, Sept.1997:368
[6] 何景棠，朱国义等人.硅酸铋（BSO）晶体闪烁性能研究.高能物理与核物理.1997.21(10):886
[7] 张争光 王秀峰. 硅酸铋(BSO)闪烁晶体的研究综述.陶瓷.2009.No.9
[8]徐家跃，王红，何庆波，等.坩埚下降法生长硅酸铋闪烁晶体.硅酸盐学报，2009，37(2)：296~298.
[9] 费一汀，孙仁英，范世觊.稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能.人工晶体学报，1999，28(1):37~4l
[10] 费一汀，孙仁英，范世觊.稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能.人工晶体学报，1999，28(1):37~4l
[11] FYITING, SRENYING, FSHIJI, etal. Vertical Bridgman Growth and Scintillation Properties of Doped Bi4Si3O12 Crystals[J]. Cryst. Res. Technol, 1991, 34(9):1149-1156.
辣、进度安排：（设计或论文各阶段的要求，时间安排）：
2月21日至3月08日 文献检索、撰写开题报告与完成外文翻译
3月09日至3月15日 熟悉实验操作流程
3月15日至4月13日 按照实验方案进行实验
4月16日至4月20日 中期检查
4月23日至5月04日 继续进行相关实验，对实验结果进行分析处理
5月04日至5月24日 完成论文撰写
5月24日至6月03日 论文审阅并整理打印
6月03日至6月14日 毕业答辩
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