C AC FO RS1 RS0 OV -- P
C：进位标志位，用于表示加减运算时最高位有无进位和借位，在加法运算中，若累加器最高位有进位则CY=1，否则CY=0，在减法时则有借位CY=1，否则CY=0，在执行算术逻辑运算时可以被硬件或软件置位或清除，CPU在进行移位操作也会影响该位。
AC：当进行加法或减法运算时并产生由低四位向高四位的进位或借位时，AC置1，否则清0。若AC=0时则在加减过程中A3没有向A4进位或借位，否则正好相反。
F0：F0常不是由机器来指令执行中形成的，而是用户根据程序的需要进行设置的，这个位一经确定就可通过软件测试来决定用户程序的流向。
RS1，RS0：8031有四个8位工作寄存器R0～R7，用户可以改变RS1和RS0的状态来决定R0～R7的物理地址。
OV：用以指示运算是否发生溢出，由机器执行指令自动形成，若机器在执行指令过程中累加器A超过8位，则OV=1否则为0。
P：用来来表示累加器A中的值为1的二进制位的奇偶数，若‘1’的个数为奇数P=1，为偶数P=0。在串行通信中常用奇偶校验数据传输结果的正确性。
3. 2. 2. 6 工作方式
它的工作方式可以分做复位，掉电和低功耗方式等。
一、 复位方式
当MCS-5l系列单片机的复位引脚RST(全称RESET)出现2个机器周期以上的高电平时，单片机就执行复位操作。如果RST持续为高电平，单片机就处于循环复位状态。
根据应用的要求，复位操作通常有两种基本形式：上电复位和上电或开关复位。上电复位要求接通电源后，自动实现复位操作。常用的上电复位电路如图 (3-15a)中左图所示。图中电容C1和电阻R1对电源十5V来说构成微分电路。上电后，保持RST一段高电平时间，由于单片机内的等效电阻的作用，不用图中电阻R1，也能达到上电复位的操作功能，如图 (3-15a)中所示。上电或开关复位要求电源接通后，单片机自动复位，并且在单片机运行期间，用开关操作也能使单片机复位。常用的上电或开关复位电路如图 (3-15b)所示。上电后，由于电容C3的充电和反相门的作用，使RST持续一段时间的高电平。当单片机已在运行当中时，按下复位键K后松开，也能使RST为一段时间的高电平，从而实现上电或开关复位的操作。
根据实际操作的经验，下面给出这两种复位电路的电容、电阻参考值。
图3-16 单片机的复位电路
图(3-16a)中：Cl＝10-30uF，R1＝1kO
图(3-16b)中：C：＝1uF，Rl＝lkO，R2＝10kO
二、掉电和低功耗方式
人们往往在程序运行中系统发生掉电的故障，使RAM和寄存器中的数据内容丢失，使人们丢失珍贵的数据而束手无策，8031有掉电保护，是先把有用的数据保存，再用备用电源进行供电。
3. 2. 3存储器的设计
在8031芯片的外围电路中必须对其进行程序存储器的扩展，和根据系统的需要对其进行数据存储器的扩展。8031对程序存储器和数据存储器均可进行0000H～FFFFH的64K字节地址内容的有效寻址。在前面我们已经讲过8031外扩展存储器时，P2作高位的地址输出，P0作低位地址输出和数据线。
一、程序存储器的扩展
由于8031无内部ROM ，故扩展的程序存储器地址为0000H～FFFFH，考虑系统的需要，我们将8031的程序存储器扩展为4K EPROM，采用2764作为ROM芯片。
程序存储器扩展的容量大于256字节，故EPROM片内地址线除了由P0口经地址存储器提供低8位地址外，还需要由P2口提供若干条地址线，我们选用8K的2764 EPROM，故地址线应该是13条，因为系统中只扩展一片EPROM，所以不用片选信号，即EPROM 的 接地。在程序扩展中，我们选用的地址锁存器是74LS373
当三态门的 为低电平时，三态门处于导通状态，允许Q端输出，否则 为高电平，输出为三态门断开，输出端对外电路呈高阻态，所以在这里 为低电平，这时当G端为高电平时，锁存器输出和输入的状态是相同的，当G由高电平下落为低电平时，输入端1D～8D的数据锁入1Q～8Q中。
当2764处于读方式下 和 均为低电平有效。当VPP=+5V时，EPROM处于读工作方式：这时由给定地址信号决定被选中存储器单元信息。被读出到数据输出端D0～D7上。文持方式：当 为高电平时，VPP为+5V，EPROM处于低功耗方式，输出端均为高阻态，这与 输入无关。编程方式：在VPP加上+25V编程电源并在 和地端跨接一个0.1uf的电容以干扰电压的瞬间对2764进入编程方式，被编程的8位数据以并行方式送到数据输出断编程校验。
2764与8031的连接如图3-17所示
图3-16 程序存储器的扩展
在选用芯片扩展的同时要考虑满足系统的要求的前提下，使电路简化，尽量选择大容量的芯片，以减少芯片组合的数量，在芯片型号的选择上选用满足应用环境要求的芯片型号。二、数据存储器的扩展
在单片机中有128 字节的数据存储器。但往往在系统的要求下片内RAM不能满足要求，用户只有选择扩展片外的数据存储器，以进行存储系统采集的数据。根据系统对数据采集的要求。我们采用8K静态RAM6264进行扩展。与动态RAM相比，静态RAM无须考虑保持数据而刷新电路，所以扩展电路较为简单且能满足系统的要求。
6264是8K*8位的静态随机存储器芯片。
它采用CMOS工艺制作，单一的+5V电源供电，额定功耗是200mW，典型存取时间200ms，为28线双列直插封装。
数据存储器的扩展与程序存储器的扩展类似，读写控制信号与8031的 和 相连。P0口通过74LS373与A0～A7相连，P2.0～P2.4与A8～A12相连，P2.7与 相连，P0口与D0～D7相连作为数据线，同时CE2接+5V电源，GND接地。如图3-18:所示：
图3-18数据存储器的扩展
3. 2. 4数据存储器的掉电保护
单片机系统内的RAM数据是非常容易丢失的，特别是一些珍贵的科研数据，一旦丢失后果不堪设想，因此掉电保护是必须要做的，一旦电源发生掉电现象，在掉电的瞬间系统能自动保护RAM中的数据和系统的运行状态，当电源恢复正常供电后能恢复到掉电前的工作状态。
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