毕业论文论文范文课程设计实践报告法律论文英语论文教学论文医学论文农学论文艺术论文行政论文管理论文计算机安全
您现在的位置: 毕业论文 >> 论文 >> 正文

基于ARM的大屏幕LED显示系统的设计 第8页

更新时间:2009-6-1:  来源:毕业论文
基于ARM的大屏幕LED显示系统的设计 第8页
4.1.3复位状态及复位电路
1S3C451OB复位工作状态
在设计基于53C4510B的应用系统时,必须了解其复位状态。其复位都是靠
外部电路实现的。53C4510B在RESET引脚有效电平控制下,程序计数器印C)和
特殊功能寄存器都进入复位状态。其内部的各个功能部件均受特殊功能寄存器
控制,程序运行直接受程序计数器(PC)指挥。寄存器的复位状态决定了其内部
有关功能部件的初始状态。
复位后PC值为Oxo,故复位后的程序入口地址为0x0。即系统启动后,CPU首
先从复位地址Oxo处读取启动代码。
图4一4是系统启动或复位时的存储器映射。
Ox3FFFFFF
Ox3FF000O
ox2000000
特特殊功能寄存器器
未未定义区域域
RRROM/SRAM/FLASHBankOOO
(((不可访问区域)))
RRROM/SR规/FLASHBankooo
(((可访问区域)))
Ox000000O
图4一4系统复位时的存储器映射
由上图可看出特殊功能寄存器组的基指针在系统复位时初始化为
OX3FF000O,一般不再改动。
系统复位后,对于53C4510B系统存储器映射来说,所有组的地址指针寄存
器都被初始化到其缺省值。这时,所有的组指针(R0M/SRAM/Flash组O和特殊
功能寄存器组除外)都被清零。这意味着:除ROM/SRAM/Flash组O和特殊功
能寄存器组以外,所有其它组在系统启动时都是未被定义的。这一点很重要,
用户在进行程序设计时,一般总是要首先通过配置相应寄存器来定义系统的存
储空间。
硕士学位论文
ROM/SRAM/Flash组O的尾指针和基指针的复位值分别为Ox200和Oxo。
ROM/SRAM/Flash组O的这种初始化定义使得系统在复位后,将系统的控制权交
给了由用户编写的启动代码,当然这些启动代码应存放在外部ROM中,并映射
到ROM/SRAM/Flash组O。当起动代码执行时,它执行各种系统初始化任务,并
根据应用系统的外部存储器和设备的实际情况来重新配置系统的存储器映射。
2复位电路
单片机应用系统通常采用上电自动复位和按钮复位两种方式。在本次设计
的基于S3C4510B的LED显示屏系统中,采用如图4一5所示的复位电路完成系
统的上电复位和按键复位功能。
VDD3.3V
图4一5系统的复位电路
该复位电路的工作原理如下:在系统上电时,通过电阻R1向电容C1充电,
当C1两端的电压未达到高电平的门限电压时,Reset端输出为低电平,系统处
于复位状态;当Cl两端的电压达到高电平的门限电压时,Reset端输出为高电
平,系统进入正常工作状态。
当用户按下按钮S1时,C1两端的电荷被泻放掉,Reset端输出为低电平,
系统进入复位状态,再重复以上的充电过程,系统进入正常工作状态。
两级非门电路用于按钮去抖动和波形整形;nReset端的输出状态与Reset
端相反,以用于高电平复位的器件;通过调整R1和Cl的参数,可调整复位状
态的时间。
硕士学位论文
4
.
1.453C451OB芯片应用系统中的地址译码
所有外围芯片都通过总线与微控制器53C4510B相连。微控制器53C4510B
数据总线分时地与外围芯片进行数据传送,故要进行片选控制。
(1)地址译码规则因53C4510B采用统一编址的方式,系统的片外存储
器、片内存储器、特殊功能寄存器和外部的工/0设备都映射到64MB的地址空
间。
四个外部工/0组定义在一个连续的地址空间中。
(2)地址译码方法MCS一51单片机的地址译码方法有两种即:线选法和全
地址译码法。由于S3C4510B提供22根地址线,地址线根数相对较多故只采用
线选法,既可满足要求。与某些ARM芯片不同,53C4510B应用系统的地址总线
的连接方式相对简单,用户在设计系统时,只需将S3C4510B的地址总线与存
储器的地址总线一一对应连接即可。
4
.
2电源电路与晶振电路
4.2.1电源电路
在本系统中,53C4510B芯片及部分外围器件需3.3V直流稳压电源,另外
部分器件需5V直流稳压电源,为简化系统电源电路的设计,要求整个系统的
输入电压为高质量的5V的直流稳压电源。系统电源电路如图4一6所示。
在此选用的Dc一Dc转换器为LinearTechnologyLT1085,可完成SV一3.3V
的转换。2.2晶振电路
晶振电路用于向CPU及其他电路提供工作时钟。在本系统中,53C4510B使
用有源晶振。不同于常用的无源晶振,有源晶振的接法略有不同。常用的有源
晶振的接法如图4一7所示。根据53C4510B的最高工作频率以及PLL电路的工
作方式,选择IOMHz的有源晶振,10MHZ的晶振频率经过53C4510B片内的PLL
电路倍频后,最高可以达到SOMHz。片内的P比电路兼有频率放大和信号提纯
的功能,因此,系统可以以较低的外部时钟信号获得较高的工作频率,以降低
因高速开关时钟所造成的高频噪声图4一7系统的晶振电路
有源晶振的1脚接5V电源,2脚悬空,3脚接地,4脚为晶振的输出,可
通过一个小电阻(此处为22欧姆)接S3C451OB的XCLK引脚。
4.3「{ash存储器接口电路
Flash存储器是一种掉电后信息不丢失的存储器,它具有低功耗、大容量、
擦写速度快、可整片或分扇区编程(烧写)、擦除等特点。与传统的ROM和EPROM
相比,它可以通过与之相连的微处理器在线编程和擦除,这一优点使得FLASH
十分适合嵌入式系统的设计和开发比’〕。它的另外一个优点就是系统升级十分方
便,设备供应商甚至用户自己都可以从网上下载最新版本的程序代码并载入
FLASH中来实现系统的升级。此外,由于程序可以直接在FLASH中运行,因而
节省了引导加载步骤,减少了高成本RA幼的容量,节省了系统空间和功耗。作
为一种非易失性存储器,Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及
一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。常用的Flash为8位或16位的数
据宽度,编程电压为单3.3V。

上一页  [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10]  ... 下一页  >> 

基于ARM的大屏幕LED显示系统的设计 第8页下载如图片无法显示或论文不完整,请联系qq752018766
设为首页 | 联系站长 | 友情链接 | 网站地图 |

copyright©751com.cn 辣文论文网 严禁转载
如果本毕业论文网损害了您的利益或者侵犯了您的权利,请及时联系,我们一定会及时改正。