这表明在连续模式下，由于存储在高频变压器的能量在每个开关周期内并未完全释放掉，因此下一个开关周期具有一个初始能量。采用连续模式可减小一次绕组峰值电流Ip和有效值电流IRms，降低芯片的功耗。但连续模式要求增大一次绕组的电感量Lp，这会导致高频变压器的体积增大。综上所述，连续模式适用于功率较小的TOPSwitch和尺寸较大的高频变压器。
不连续模式的特点是，存储在高频变压器中的能量在每个开关周期内都要完全释放掉，其开关电流则是从零开始上升到峰值，再迅速降到零，其开关电流的波形呈三角形，参见图2-1b.此时Krp=1.0,即
Ir=Ip （2-2）
不连续模式下的Ip.Irms值较大，但所需要的Lp较小。因此，它适合于采用输出功率较大的TOPSwitch芯片，配尺寸较小的高频变压器。
2.工作模式的设定
利用IR与Ip的比例关系，亦即KR P的数值，可以定量的描述单片开关电源的工作模式。KR P的取值范围是0-1.0。若取IR=Ip，即KRP=1.0，就将开关电源设定在不连续模式。当IR<Ip，即KR P<1.0时，开关电源就被设定为连续模式。具体讲，这又分两种情况：（1）当0<IR<Ip，即0<KRP,1.0时处于连续模式；（2）理想情况下，IR=0. KRP=0，表示处于绝对连续模式，或称为极端连续模式，此时一次绕组电感量Lp -- ∞，而一次绕组开关电流呈矩形波。
实际上在连续模式与不连续模式之间并无严格界限，而是存在一个过渡过程。对于给定的交流输入电压范围，KR P值较小，就意味着更为连续的工作模式和相对较大的一次绕组电感量，并且一次绕组的Ip和Irms值较小，此时可选用功率较小的TOPSwitch芯片和较大尺寸的高频变压器来实现优化设计。反之，KR P值较大，就表示连续程度较差，一次绕组电感量较小，而Ip与一次绕组有效值电流Irms较大，此时须采用功率较大的TOPSwitch芯片，配尺寸较小的高频变压器。
综上所述，选择KR P值就能设定开关电源的工作模式。设定过程为：Lp上升导致IR<Ip导致KR P<1.0的连续模式。对于85-265V宽范围输入或230V固定输入的交流电压，选择KR P=0.6-1.0 比较合适。
1.2 单片开关电源反馈电路的4种基本类型
单片开关电源的电路可以千变万化，但其反馈电路只有4种基本类型： 1.基本反馈电路：2.改进型基本反馈电路：3.配稳压管的光耦反馈电路：4. 配TL431的光耦反馈电路。它们的 简化电路如下2-2a-d所示。
图2-2 反馈电路的4种基本类型
a.基本反馈电路 b.改进型基本反馈电路
c.配稳压管的光耦反馈电路 d.配TL431的光耦反馈电路
图a;为基本反馈电路，其优点是电路简单，成本低廉，适于制作小型化，经济型开关电源；其缺点是稳压性能较差，电压调整率Sv=+-1.5%～+-2.5%，负载调整率S1=+-55。
图b;为改进型基本反馈电路，只需增加一只稳压管VS和电阻R1，即可使负载调整率达到正负2.5%。VS的稳定电压一般为22V，必须相应增加反馈绕组的匝数，以获的较高的反馈电压Ufb，满足电路的需要。
图c;为配稳压管的光耦反馈电路。由VS提供参考电压Uz，当输出电压U0发生波动时，在光耦内部的二极管上可获得误差电压。因此，该电路相当于给TOPSwitch增加了一个外部误差放大器，再与内部误差放大器配合使用，即可对Uo进行调整。这种反馈电路能使电压调整率达到正负1% 以下。
图d;为配TL431的光耦反馈电路，其电路较复杂，但稳压性能最佳。这里用TL431型可调式精密并联稳压器来代替普通的稳压管，构成外部误差放大器，进而对Uo做精细调整，可使电压调整率和负载调整率均达到正负0.2%，能与线性稳压电源相媲美。这种反馈电路适于构成精密开关电源。
在设计单片开关电源时，应根据实际情况来选择合适的反馈电路，才能达到规定的技术指标.
第二节 单片开关电源保护电路的设计
为使单片开关电源能够长期稳定、安全可靠的工作，必须设计各种类型的保护电路，避免因电路出现故障、使用不当或环境条件发生变化而损坏开关电源。下面首先介绍单片开关电源保护电路的分类，然后重点阐述输出过电压保护电路，输入嵌电压保护和软启动电路的设计。
2.1保护电路的分类
单片开关电源的保护电路可分为两大类。第一类是芯片内部的保护电路，例如TOPSwitch系列中的过电流保护电路、过热保护电路、关断/自动重启电路、前沿闭锁电路。第二类是外部保护电路。主要包括过电流保护装置（如熔丝管、自恢复熔丝、熔断电阻等）、电磁干扰(EMI)滤波器、启动限流保护电路、漏级钳位保护电路（或R.C.VD)吸收电路。输出过电压保护电路、输入欠电压保护电路、软启动电路、散热装置。其中，内部保护电路是由芯片厂家设计的，外部保护电路由用户自己设计。下面重点介绍输出过电压保护电路、输入欠电压保护电路和软启动电路的设计。
2.2输出过电压保护电路的设计
1.由分立式晶闸管构成的输出过电压保护电路
电路如图2-3所示。这里是用两只PNP和NPN型晶体管VT1.VT2，来构成分立式晶闸管(SCR)，其中三个电级分别为阳极A，阴极K，门级G。反馈电压Ufb经稳压管VS2和电阻R1分压后提供门级电压Ug。正常情况下Ug较低，SCR关断当二次侧出现过电压时，Uo上升导致Ufb上升Ug也上升，就触发SCR并使之导通，进而使控制端电压Uc变低，将TOPSwitch系列单片开关电源关断，起到保护作用。稳压管VS2的稳定电压与VT2的发射结电压之和等于(Uz2+Ube2)，当Ufb>Uz2+Ube2时，就进行过电压保护。
2.由双向触发二极管构成的输出过电压保护电路
双向触发二极管也称两端交流器件(DIAC)，其结构及特性如图2-4所示。它属于具有对称性的两端器件，可等效于基极开路、发射极与集电极完全对称的NPN晶体管。由于正、反伏安特性完全对称，当DIAC两端电压U小于正向转折电压Ubo时，器件为高阻状态；当U>Ubo时DIAC就导通。同理，当U超过反向转折电压Ubr时，管子也能导通。正、反向转折电压的对称性可用△Ub表示，一般要求变化的Ub=Ubo-Ubr<2V。因为双向触发二极管的结构简单，价格低廉，所以常用来构成过电压保护电路，并适合于触发双向晶闸管(TRIAC)。
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