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单片开关电源系统设计 第4页

更新时间:2010-2-16:  来源:毕业论文
单片开关电源系统设计 第4页
第三节 单片开关电源关键外围器件的选择
在研制开关电源时,不仅要设计好电路,还要必须能正确选择器件。单片开关电源的外围元件大致可分为三大类:第一类是通用元器件,包括电阻、电容、整流桥或整流管、稳压管。第二类是特种半导体器件,主要有TL431型可调试精密并联稳压器、EMI滤波器、光耦、瞬态电压抑制器、超快恢复二极管、肖特基二极管、熔断器、自恢复容丝。第三类为磁性材料,如高频变压器磁心、电磁线、磁珠等等。

3.1 TL431型可调式精密并联稳压器
TL431是由美国德州仪器公司(TI)和摩托罗拉公司生产的2.50~36V可调式精密并联稳压器。其性能优良,价格低廉,可广泛用于单片精密开关电源或精密线性稳压电源中,此外TL431还能构成电压比较器,电源电压监视器,延时电路,精密恒流源等。目前在单片精密开关电源中,普遍用它来构成外部误差放大器,再与线性光耦合器组成隔离式光耦反馈电路。
TL431系列产品包括TL431C.TL431AC.TL431AI.TL431M.TL431Y,共6种型号。它属于三端可调试器件,利用两只外部电阻可设定2.50-36V范围内的任何基准电压值。TL431的动态阻抗低,其典型值为0.2欧。阴极工作电压Uka的允许范围是2.50~36V,阴极工作电流Ika=1~100mA。TL431大多采用DIP-8或TO-92的封装形式,管脚排列分别如图2-7所示。图中A为阳极,使用时需接地。K为阴极,需经限流电阻接电源。Uref是输出电压Uo的设定端,外接电阻分压器。NC为空脚。TL431的等效电路见图2-13c,,主要包括4部分:①.
 
                           图2-7 TL431的管脚排列及等效电路
                            a DIP-8封装       b 等效电路
误差放大器A,其同向输入端接从电阻分压器上得到的取样电压,反向输入端则接内部2.5V基准电压Uref,并且设计的UREF=Uref,UREF端常态下应为2.5V,因此称基准端:②.内部2.5v(准确值为2.495V)基准电压源Uref;③.NPN型晶体管VT,它在电路中起到调节负载电流的作用;④.保护二极管VD,可防止因K-A间电源级性接反而损坏芯片。TL431的电路符号和基本接线如图2-8所示。它相当于一只可调试齐纳稳压管,输出电压由外部精密电阻R1和R2来设定,有公式
                      Uo=Uka=(1+R1/R2)Uref                      2-11
                                        
R3是Ika的限流电阻。TL431的稳压原理可分析如下:当由于某种原因使Uo升高时,取样电压Uref也随之升高,使UREF>Uref ,比较器输出高电平,令VT导通,Uo下降。反之,Uo下降导致UREF下降UREF<Uref进而比较器再次翻转,输出变成低电平导致VT截至输出电压Uo上升。这样循环下去,从动态平衡的角度来看,就迫使Uo趋于稳定,达到了稳压的目的,并且UREF=Uref.
                          图2-8 TL431的电路符号与基本接线
 a 电路符号  b 基本接线
  TL431可广泛应用于单片开关电源中,作为外部误差放大器,构成光耦反馈式电路。其工作原理是当输出电压发生波动是,经电阻分压后得到的取样电压就与TL431中的2.5V带隙基准电压进行比较,在阴极上形成误差电压,使发光二极管的工作电流If发生变化,再通过光耦去改变控制端电流Ic的大小,调节TOPSwitch的输出占空比,使Uo 不变,达到稳压的目的。

3.2 电磁干扰滤波器
电磁干扰滤波器亦称EMI滤波器,它能有效的抑制电网噪声,提高电子设备的抗干扰能力及系统的可靠性,可广泛用于电子测量仪器、计算机机房设备、开关电源测控系统等领域。电网噪声是电磁干扰的一种,它属于射频干扰(RFI),其传导噪声的频谱大致为10KHz-30MHz,最高可达150MHz。根据传播方向的不同,电网噪声可分为两大类:一类是从电源进线引入的外界干扰,另一类是由电子设备产生并经电源线传导出去的噪声。这表明它属于双向干扰信号,电子设备既是噪声赶的对象,又是一个噪声源。若从形成特点来看,噪声干扰分串模干扰和共模干扰。串模干扰是两条电源之间(或线对线)的噪声。共模干扰则是两条电源线对大地(或线对地)的噪声。因此,电磁干扰滤波器应符合电磁兼容性(EMC)的要求,也必须上双向射频滤波器,一方面要滤除从交流电源线上引入的外部电磁干扰,另一方面还能避免本身设备向外部发出噪声干扰,所以一台具有良好电磁兼容性的电子设备是完全可以避免串、共模干扰的。此外,电磁干扰滤波器应对串模、共模干扰都起到抑制作用。
 为减小体积和降低成本,单片开关电源一般采用简易式单级EMI滤波器,主要包括共模扼流圈L和滤波电容。典型电路如图2-9所示。以图2-9c为例,L.C1和C2用来滤除共模干扰,C3和C4滤除串模干扰。当出现共模干扰时,由于L中两个线圈的磁通方向相同经过耦合后总电感量迅速增大,因此对共模信号呈现很大的感抗,使之不易通过,故称作共模扼流圈。它的两个线圈分别绕在低损耗、高磁导率的铁氧体磁环上。R为泻放电阻,可将C3上的电荷释放掉,避免影响滤波性能;断电后还能是进线端L.N不带电,保证使用的安全。EMI滤波器能有效的抑制单片开关电源的电磁干扰。图2-16中曲线a为不加EMI滤波器时开关电源上0.15-30MHz传导噪声的波形(即电磁干扰峰值包络线),曲线c是插入如图2-15d所示EMI滤波器后的波形,它能将电磁干扰衰减50-70dBuV。显然, 这种EMI滤波器的效果更佳.
                     图2-9 单片开关电源常用的4种EMI滤波器
插入损耗(AdB)是EMI滤波器的重要参数。它是评价电磁干扰滤波器性能优劣的主要指标,设电磁干扰滤波器插入前后传输到负载上的噪声电压分别为U1.U2有
AdB=201g*(U1/U2)                             2-13 
插入损耗用dB来表示,分贝值愈大,说明抑制噪声的能力越强。测量插入损耗的电路如图2-11所示。e 是噪声信号发生器,Zi是信号源的内部阻抗,ZL是负载阻抗,一般取50欧。噪声频率可选10KHZ-30MHz。首先要在不同频率下分别测出插入EMI滤波器前后,负载两端的噪声压降U1.U2,再代入上式(2-10)中计算出每个频率点的AdB值,最后绘出插入损耗的曲线。需要指出,上述测试方法比较烦琐,每次都要拆装EMI滤波器。为此可采用电子开关对其进行快速切换。 
                                        图2-10 加EMI滤波器前 后干扰波形的比较
3.3 瞬态电压抑制器
    瞬态电压抑制器亦称瞬态电压抑制二极管,TVS(Transient Voltage Suppressor),是一种新型过电压保护器件。由于它的相应速度极快、钳位电压稳定、体积小、价格低,因此可作为各种仪器仪表、自控装置和家用电器中的过电压保护器,还可用来保护单片开关电源集成电路、MOS功率器件以及其它对电压敏感的半导体器件。  
                           图2-11 测量插入损耗的电路
                                          a 插入前 b 插入后
瞬态电压抑制器是一种硅PN结器件,其外形塑封硅整流二极管相似,如图2-18所示。常见的封装形式有DO-41.A27K.A37K.它们在75`C以下的额定脉冲功率分别为2W.5W.15W.在25`C、1/20s条件下可承受的浪涌电流分别为50A.80A.200A。其钳位电压0.7V-3KV。TVS的符号与稳压管相同,如图2-18b所示。图中,Ub.It分别为导通前加在器件上的最大额定电压。有关系式:Ur=0.8Ub.Ir是最大峰值漏电流。Uc是在1ms时间内器件可承受的最大峰值电压。有关系式:Uc>Ub>Ur。Ip是瞬时脉冲峰值电流。因Ip.It.Ir.分别属于mA uA A这3个数量级。故Ip》It》Ir。TVS的峰值脉动功率Pp与干扰脉冲的占空比(D)以及环境温度(Ta)有关。当D下降时Pp上升,反之亦然,而当Ta下降时Pp上升。Pp值通常是在脉宽1ms、脉冲上升沿10us、D=0.01%的条件下测出来的,使用时不得超过值。       
 瞬态电压抑制器在承受瞬态高能量电压时,能迅速反向击穿,由高阻态变为低阻态,并把干扰脉冲钳位于规定值,从而保证电子设备或元器件不受损坏。钳位时间定义为从0v达到反向击穿电压最小值所需的时间。TVS的钳位时间为1ns,所承受的瞬态脉冲峰值电流高达几十至几百安培。其性能优于压敏电阻器VSR,且参数的一致性好。
图 2-12 瞬态电压抑制器
a外形 b符号 c伏安特性
 TVS器件分单向瞬态电压抑制器、双向瞬态电压抑制器两种类型。国内外产品有TVP.SE.5KP.BZT.BZY.P6KE等系列。对于P6KE系列,靠近白色环为正极;TVS可串联也可并联,以提高峰值脉动功率,但在并联是各器件的Ub值应相等。双向瞬态电压抑制器的典型产品有P6KE20.P6KE250等。这类器件能同时抑制正向、负向两种极性的干扰信号,适用于交流电路。

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