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单片机控制的三相全控桥触发系统设计 第12页

更新时间:2010-6-8:  来源:毕业论文
单片机控制的三相全控桥触发系统设计 第12页
超多正常值。有时雷击也会引起过电压。
晶闸管过电压的保护措施通常采用阻容保护。可以利用电容来吸收过电压,其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容器中,然后释放到电阻中去消耗掉。这是过电压保护的基本方法。
阻容吸收元件可以并联整流装置的交流侧(输入端)、直流侧(输出端)、或则元件侧。

6.2  具体器件的计算与选择
(1)整流变压器的计算
①二次侧相电压:
 
查表知,三相全控桥时
A= Ud0/ U2=2.34 ( 取ε=0.9为电网波动系数)
B=Ud/ Udv 查表知 B=COS,角考虑100裕量
故B=0.985
所以U2 =(1~1.2) =106~127V
取U2=120V,所以  变比 K=U1/U2=380/120=3.17
②一次、二次侧电流的计算
    查表知 KI1=0.816 ,KI2=0.816
    I1=KI1 Id /K=1.05*0.816*37/3.17=9.5A*1.05=10A
    I2=KI2Id=0.816*37=30.2A
③变压器容量的计算
一次侧,二次侧绕组的相数 m1=3,m2=3
所以 S1=m1U1I1=3*380*10=11400VA
       S2=m2U2I2=3*120*30.2=10872VA
       S=(S1+ S2)/2=(11400+10872)/2=11136VA
又因为 励磁功率P2=220*1.14=250.8w
所以 取S1=11.7KVA,S2=11.2KVA,S=11.4KVA,I1=10.3A,I2=31.7A
(2)晶闸管元件的选择
①晶闸管额定电压
UTN = (2~3) UTm=(2~3)  *120 =588~882V
取UTN=800V
②晶闸管的额定电流
查表知 K=0.367
IT(VA)=(1.5~2)K Id =(1.5~2)*0.367*37=20.4~27.2A
取IT(VA)=50A
故选Kp50-7晶闸管元件
③晶闸管两端的过电压保护
晶闸管:C2=0.2uF,R2=40Ω
电容耐压≧1.5Vm=1.5* *U2=1.5* *120V=441V
选C2JD-2型金属化介电容器,电容量0.22uF,耐压400V
电阻功率:PR2=fcum2*10-6=0.95W
  取R2=43Ω,1W金属膜电阻
④过电流保护
快速熔断器的选择
接有电抗器的三相全控桥电路,通过晶闸管电流有效值IT=Id/ =37A/ =21A
故选用RLS-50的熔断器,熔断电流为50A
⑤ 电压和电流上升率的限制
电压上升率du/dt,正向电压上升率较大时,使晶闸管误导通。限制du/dt过大可在电源输入端串联电感和在晶闸管每个桥臂上串联电感,利用电感的滤波特性,使du/dt降低。
电流上升率di/dt,导通时电流上升率过大则可能引起门极附近过热造成晶闸管损坏限制di/dt,除在阻容保护中选择合适的电阻外,也可采用与限制du/dt相同的措施,其中电感可采用空心电抗器,其中L≧30uH。

(3)平波电抗器的计算
①使电流连续的临界电感量 L1
查表得 K1=0.695,Idmin=0.05Id=0.05*37A=1.85A
则L1=K1*U2/ Idmin =0.695*120/1.85mH
②限制电流脉动的电感量L2
查表得 K2=1.045,取Si=0.1
则L2=K2*U2/(Si*Id)=1.045*120/(0.1*37)mH=33.9 mH
③电动机电感量LD和变压器漏电感量LT
取KD=7,则LD=KD*VD/(2*Pn*Ia)*103=7*230/(2*1450*37)*103 =15 mH
查得 KT=3.9,取Ush=5,则LT=KT*Ush/100*U2/Ia=3.9*5/100*120/37=0.63 mH
④实际串入电抗器电感量
Ld=L1-(LD+2LT)=45-(7+2*0.63)=36.7 mH
小结:通过对所有硬件电路的组成及其原理的了解并对相关的器件的各参数和指标进行比较全面的掌握,并结合实际电路的运行正确的选择组成电路的器件。

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