单片机控制的三相全控桥触发系统设计 第9页
意的是波特率和时钟输出频率不能分开确定，这是因为它们同使用RCAP2H和RCAP2L。
•UART: AT89C52的UART工作方式与AT89C51工作方式相同。
•中断: AT89C52共有6个中断向量：两个外中断（INT0和INT1），三个定时器中断（定时器0、1、2）和串行口中断。所有这些中断源如图9所示。
这些中断源可通过分别设置专用寄存器IE的置位或清0来控制每一个中断的允许或禁止。IE也有一个总禁止位EA，它能控制所有中断的允许或禁止。
注意表5中的IE.6为保留位，在AT89C51中IE.5也是保留位。程序员不应将“1”写入这些位，它们是将来AT89系列产品作为扩展用的。
定时器2的中断是由T2CON中的TF2和EXF2逻辑或产生的，当转向中断服务程序时，这些标志位不能被硬件清除，事实上，服务程序需确定是TF2或EXF2产生中断，而由软件清除中断标志位。
定时器0和定时器1的标志位TF0和TF1在定时器溢出那个机器周期的S5P2状态置位，而会在下一个机器周期才查询到该中断标志。然而，定时器2的标志位TF2在定时器溢出的那个机器周期的S2P2状态置位，并在同一个机器周期内差续道该标志。
•时钟振荡器：
AT89C52中一个用于构成内部振荡器的高增益反相放大器，引脚XTAL1和XTAL2分别是该放大器的输入端和输出端。这个放大器与作为反馈原件的片外石英晶体或陶瓷谐振器一起构成自激振荡器，振荡电路参见图10。
外接石英晶体（或陶瓷谐振器）激电容C1，C2接在放大器的反馈回路上构成并联并联振荡电路。对外接电容C1、C2虽然没有十分严格的要求。但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器工作的的稳定性、起振的难易程序及温度稳定性，如果使用石英晶体，但容使用30PF±10PF，而如果使用陶瓷谐振器则选择40PF±10PF。
用户也可以使用外部时钟。采用外部时钟的电路如图10右图所示。这种情况下，外部时钟脉冲接到XTAL1端，即内部时钟发生器的输入端，XTAL2则悬空。
由于外部时钟信号时通过一个2分频触发器后作为内部时钟信号的，所以对外部时钟信号的占空比没有特殊要求，但最小高电平持续时间和最大的低电平持续时间应符合产品技术条件的要求。
•空闲节点模式：
在空闲工作模式状态下，CPU自身处于睡眠状态而所有片内的外设仍保持激活状态，这种方式由软件产生。此时同时将片内RAM和所有特殊功能寄存器的内容冻结。空闲模式可由任何允许的中断请求或硬件复位终止。
由硬件复位终止空闲状态只需要两个机器周期有效复位信号。在此状态下，片内硬件禁止访问内部RAM，但可以访问端口引脚，当用复位终止空闲方式时，为避免可能对端口产生意外写入，激活空闲模式的那条指令后一天指令不应是一条指令对端口或外部存储器的写入指令。
•掉电模式：
在掉电模式下，振荡器停止工作，进入掉电模式的指令是最后一条被执行的指令，片内RAM和特殊功能寄存器的内容在终止掉电模式前被冻结。退出掉电模式的唯一方法是硬件复位，复位后将重新定义全部特殊功能寄存器，但不改变RAM中的内容，在Vcc恢复到正常工作电平前，复位应无效，且必须保持一定时间以使振荡器重启动并稳定工作。
空闲和掉电模式下，端口引脚状态如表6所示。
•程序寄存器的功能：
AT89C52有三个程序加密位，可对芯片上的三个加密位LB1、LB2、LB3进行编程（P）或不编程（U）来得到如表7所示的功能：
当加密位LB1被编程时，在复位期间，EA端的逻辑电平被采样并锁存，如果单片机上电后一直没有复位，则锁存起的初始值是一个随机数，且这个随机数会一直保存到真正复位为止。为使单片机能正常工作，被锁存的EA电平值必须与该引脚当前的逻辑电平保持一致。此外，加密位只能通过整片擦除的方法清除。
•Flash存储器的编程：
AT89C52单片机内部有8K字节的Flash PEROM，这个Flash存储阵列出厂时处于擦除状态(即所有存储单元的内容均为FFH)，用户可随时对其编程。编程接口可接受高电平（12V）或低电平（VCC）的允许编程信号。低电压编程模式适合于用户在线编程系统，而高电平编程模式可与通用EPROM编程器兼容。
AT89C52单片机中，有些属于低电压编程方式，而有些属于低电压编程方式，而有些则属于高电压编程方式，用户可从芯片上的型号和读取芯片内的签名字节获得该信息，见表8。
AT89C52的程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的，每次写入一个字节，要对整个芯片年内的PEROM程序存储器写入一个非空字节，必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除。
•编程方法：
编程前，须按表9和表11所示设置好地址、数据及控制信号，AT89C52编程方法如下：
1. 在地址线上加上要编程单元的地址信号。
2. 在数据线上加上要写入的数据字节。
3. 激活相应的控制信号。毕业论文http://www.Lwfree.cn/ 论文网http://www.751com.cn/
4. 在高电压编程方式时，将EA/VPP端加上﹢12V编程电压。
5. 每对Flash存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个ALE/PROG编
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