单片机SPWM脉冲宽度调制技术逆变电源设计+电路图+源程序 第3页
第二章 硬件部分的设计
图2-1 硬件原理框图2.1主电路的设计
图2-2 AT89C52单片机PDIP封装形式
2.1.1 AT89C52单片机的使用
AT89C52是美国ATMEL公司生产的低电压，高性能CMOS 8为单片机，片内含8k bytes 的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，与标准MCS-51指令系统及8052善拼引脚兼容，片内置通用8位中央处理器（CPU）和Flash存储单元，功能强大AT89C52单片机适合于许多较为复杂控制应用场合。
主要性能参数：
与MCS-51产品指令和引脚完全兼容
8k字节可充擦写Flash闪速存储器
1000次擦写周期
全静态操作：0Hz—24MHz
三级加密程序存储器
256×8字节内部RAM
32个可变成I/O口线
3个16位定时计数器
8个中断源
可编程串行UART通道
低功耗空闲和掉电模式
功能特性概述：
AT89C52提供以下标准功能：8k字节Flash闪速存储器，256字节内部RAM，32个I/O口线，3个16位定时/计数器，一个6向量两极中断结构，一个全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电路。同时，AT89C52可降至0Hz的静态逻辑操作，并支持两种软件可选的节电工作模式。空闲方式停止CPU的工作，但允许RAM，定时器/计数器，串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存RAM中的内容，但振荡器停止工作并禁止其他所有部件工作直到下一个硬件复位。
引脚功能：
Vcc：电源电压
GND：地
P0口：P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口，也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路，对端口P0写“1”时，可作为高阻抗输入端用。
在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8位）和数据总线复用，在访问期间激活内部上拉电阻。原文请找腾讯752018766,辣-文^论,文.网
http://www.751com.cn在Flash编程时，P0口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。
P1口：P1是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，P1的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口P1写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流。
与AT89C51不同之处是，P1.0和P1.1还可分别作为定时/计数器2的外部技术输入（P1.0/T2）和输入（P1.1/T2EX）。
Flash编程和程序校验期间，P1接收低8位地址。
P2口：P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流。
在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器（例如执行MOVX @DPTR指令）时，P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器（如执行MOVX @RI指令）时，P2口输出P2锁存器的内容。
Flash编程或校验时，P2亦接收高位地址和一些控制信号。
P3口：P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“1”时，他们被内部上拉电阻拉高可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流。
P3口出了作为一般的I/O线外，更重要的用途是它的第二功能，如下表： 表2-1 P3口第二功能表
此外，P3口还接收一些用于Flash闪速存储器编程和程序校验的控制信号。
RST：复位输入。当振荡器工作时，RST引脚出现两个周期以上高电平将使单片机复位。
XTAL1：振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。
XTAL2：振荡器反相放大器的输出端。
对于本次设计的引脚使用情况如下：
P1口：控制LED数码管8位段码;
P3.0，P3.1，P3.4，P3.5：数码管位选通口;
XTAL：接晶振;
RST：接复位电路;
P0： ADC0809的结果输入；SA828的控制字口;
P2.0：SA828的片选;
P2.7：ADC0809的片选;
P3.2：外部中断0 .
AT89C52是一个低电压，高性能CMOS 8位单片机，片内含8KB的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256×8位的随机存取数据存储器（RAM），3个16位定时/计数器、6个中断源、低功耗空闲和掉电方式等特点。器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51指令系统，片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元，可以满足系统要求。系统采用5V电源电压，外接12M晶振。
2.1.3 IGBT的功能特点
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有通流能力强，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单的优点。
IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。E E
(a)简化等效电路 (b)电气图形符号
图2-3 IGBT电气图(为什么不用protel画呢??)
2.1.4 过电压的产生与过电压保护
电力电子装置中，除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计良好外，采用合适的过电压保护、过电流保护、du/dt保护和di/dt保护也是必要的。在本设计中，主要防止过电压，烧坏电路。
在本设计中，过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程，包括：
1） 换相过电压：由于全控型器件反并联的续流二极管在换相结束后不能立刻回复阻断能力，因而有较大的反向电流流过，使残存的载流子回复，而当其回复了阻断能力时，反向电流急剧减小，这样的电流突变会因线路电感而在晶闸管阴阳极之间或与续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。
2） 关断过电压：全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感感应出的过电压。在本设计中主要采用RC电路来防止过电压。上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] 下一页
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