图1-7 溶胶-凝胶法制备薄膜过程
（2）化学气相沉积法
CVD方法是通过把含有构成薄膜元素的物质（Zn）以气态形式（经过惰性气体的运输）将其带入加热的生长区域（反应室），借助气相的作用在基底表面发生化学反应生成所需要的物质（ZnO）并沉积在基底表面形成化合物单晶（ZnO）薄膜。采用化学气相沉积法的优点在于该方法适用于不同形状的衬底，且在沉积的过程中可以人为控制薄膜的成分和生长速度，所以可以得到结晶质量较好的薄膜。但是化学气相沉积法的设备过于昂贵，而且制备过程中浪费比较严重，还会产生大量的有害气体需要专门的设备进行回收处理。
（3）分子束外延法
分子束外延法本文来自辣)文,论(文'网，
毕业论文 www.751com.cn 加7位QQ324_9114找源文（MBE）是一种新发展起来的制备高质量薄膜的方法，可以达到原子级控制，典型的MBE设备由控制系统、样品台和加热器、束源炉、检测分析系统组成和超高真空系统。分子束外延分为三个部分：分子束的产生、分子束的传输以及分子束和衬底的相互作用。如图1-8为分子束外延的过程示意图[18]。MBE生长薄膜的最大好处在于:可生长出高纯度的外延材料；缺点是生长太慢，且生长设备昂贵不利于批量生产。
图1-8 分子束外延过程示意图
（4）脉冲激光溅射沉积法
脉冲激光溅射沉积法（PLD）是20世纪80年代后期发展起来的一种应用非常广泛的薄膜制备方法。PLD的实验装置如图1-9所示。脉冲激光溅射沉积法的工作原理是使一束脉冲激光瞬间聚集在靶材的一小部分上，利用激光的高能量将靶材材料部分气化蒸发甚至电离，靶材的瞬时熔化，形成了温度高速度高的等离子羽辉进而沉积在基底上形成薄膜。PLD的优点是操作简单，反应过程迅速；不仅可以制备单层膜，还可以生长多层膜；脉冲激光溅射沉积法所使用的设备操作简单[19]。缺点是难以实现大尺寸均匀成膜,而且对薄膜厚度，成膜的均匀性难以控制。
图1-9 脉冲激光沉积系统的实验装置
（5）磁控溅射法
磁控溅射法的工作原理是是在高真空中，充满惰性气体，在高压高频电场的作用下，使气体发生电离，在阴极和阳极间形成辉光放电，产生高能量的离子流，轰击在靶电极上，使靶电极材料沉积在基底上，从而形成所需要薄膜。图1-10为磁控溅射技术制备ZnO薄膜的过程示意图。磁控溅射技术的优点在于其沉积速率高，薄膜的结晶质量也较好，并且薄膜的厚度均匀[20]；然而，由于会出现对靶材的溅射不均匀的情况，会使靶材的利用率相对较低，而且也会因为其粒子速度过高导致对薄膜表面造成一定程度上的破坏。
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