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C8051F单片机通用温度监控器的设计+电路图+源程序 第7页

更新时间:2016-10-23:  来源:毕业论文
P0 口
P0 口是一组8 位漏极开路型双向 I/O 口, 也即地址/数据总线复用口。作为输出口用 时,每位能吸收电流的 阻抗输入端用。 方式驱动8 个 TTL 逻辑门电路,对端口 P0 写“1”时,可作为高 在 Flash 编程时,P0 口接收指
在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8
位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。
令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。
P1 口
P1 是一个带内部上拉电阻的8 位双向 I/O 口, P1 的输出缓冲级可驱动(吸收或输 出电流) 个 TTL 逻辑 4 门电路。 对端口写“1”, 通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉 时会输出一个电流(IIL)。
电阻,某个引脚被外部信号拉低与 AT89C51 不同之处是,P1.0 和 P1.1 还可分别作为定时/ 参见表1。 Flash 编 表.P1.0和 P1.1的第二功能
计数器2 的外部计数输入(P1.0/T2)和输入(P1.1/T2EX) , 程和程序校验期间,P1 接收低8 位地址。
引脚号 P1.0 P1.1 功能特性 T2,时钟输出 T2EX(定时/计数器2)
 
P2口
P2 是一个带有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口,P2 的输出缓冲级可驱动(吸收或输 出电流)4 个 TTL 逻辑 门电路。对端口 P2 写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高 电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉 低时会输出一个电流(IIL)。 在访问外部程序存储器或 16 位地址的外部数据存储器(例 如执行 MOVX @DPTR 指令)时,P2 口送出高 8 位地址数据。在访问 8 位地址的外部数 据存储器(如执行 MOVX @RI 指令)时,P2 口输出 P2 锁存器的内容。 或校验时,P2亦接收高位地址和一些控制信号。 Flash 编程
P3 口
P3 口是一组带有内部上拉电阻的8 位双向 I/O 口。P3 口输出缓冲级可驱动(吸收或 输出电流)4 个 TTL 逻 辑门电路。对 P3 口写入“1”时,它们被内部上拉电阻拉高并可 P3 口除了 P3 口还接收一些用于 Flash 闪 作为输入端口。此时,被外部拉低的 P3 口将用上拉电阻输出电流(IIL) 。 作为一般的 I/O 口线外, 更重要的用途是它的第二功能 速存储器编程和程序校验的控制信号。
RST
复位输入。当振荡器工作时,RST 引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
ALE/PROG
当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址 的低8 位字 节。一般情况下,ALE 仍以时钟振荡频率的1/6 输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。 要注意的是: 每当访问外部数据存储器时将跳过一个 ALE 脉冲。 对 Flash 存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。
如有必要,可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH 单元的 D0 位置位,可禁止 ALE 操 作。该位置位后,只有一条 MOVX 和 MOVC 指令才能将 ALE 激活。此外,该引脚会 被微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置 ALE 禁止位无效。
PSEN
程序储存允许(PSEN)输出是外部程序存储器的读选通信号,当 AT89C52 由外部程 序存储器取指令(或数 据)时,每个机器周期两次 PSEN 有效,即输出两个脉冲。在 此期间,当访问外部数据存储器,将跳过两次 PSEN 信号。
EA/VPP
外部访问允许。欲使 CPU 仅访问外部程序存储器(地址为0000H—FFFFH) ,EA 端 必须保持低电平(接 EA 端状态。 地) 。需注意的是:如果加密位 LB1 被编程,复位时内部会锁存 如 EA 端为高电平(接 Vcc 端) ,CPU 则执行内部程序存储器中的指令。
Flash 存储器编程时,该引脚加上+12V 的编程允许电源 Vpp,当然这必须是该器件是使用 12V 编程电压 Vpp。
XTAL1
振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。
XTAL2
振荡器反相放大器的输出端。

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