图1.12 初始化时序
(2) 写时序
当主机总线t0时刻从高拉至低电平时，就产生写时序，见图3-6，从t0时刻开始15μs之内应将所需写的位送到总线上，DSl8B20在t0后15μs～60μs间对总线采样。若为低电平，写入的位是0；若为高电平，写入的位是1。连续写2位间的时序应大于1μs。
图1.13 写时序
（3）读时序
见图3-7主机总线t0时刻从高拉至低电平时总线只须保持低电平1μs之后在t1时刻将总线拉高，产生读时序，读时序在t1时刻后t2时刻前有效。t2距t0为15μs，也就是说，t2时刻前主机必须完成读位，并在t0后的60μs～120μs内释放总线。
图1.14读时序
1.5串行存储器
本次设计采用的是93C46串行存储器。
CSI93C46/56/57/66/86 是一种存储器可以定义为16 位（ORG 引脚接Vcc ）或者定义为8 位（ORG 引脚接GND） 的1K/2K/2K/4K/16K 位的串行E2PROM 每一个的存储器都可以通过DI 引脚或DO 引脚进行写入或读出每一片CSI93C46/56/57/66/86 都是采用CSIalyst 公司先进的CMOS E2PROM 浮动门工艺加工器件可以经受1,000,000 次的写入/擦除操作片内数据保存寿命达到100 年。
器件特性
1 高速度操作
93C46/56/57/66 1MHz
2 低功耗工艺
3 电源电压宽1.8 伏到6.0 伏
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毕业论文 www.751com.cn 加7位QQ324~9114找原文 4 存储器可选择8 位或者16 位结构
5 写入时自动清除存储器内容
6 硬件和软件写保护
7 慢上电写保护
8 1,000,000 次写入/擦除周期
9 100 年数据保存寿命
10 商业级工业级和汽车级温度范围
11 连续读操作除93C46 外
12 写入允许引脚PE 只有93C86 有
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