输入灵敏度
输入电容
输入电流 10/250
0.7/AVDD
0~ AVDD
5.0
±100 MHz min/max
V p-p min/max
V max
pF max
µA max f<10MH采用直流耦合CMOS兼容方波, 转换速率>21 V/µs
直流电偶
CMOS兼容
鉴相器
鉴相器频率2
8
MHz max
充电泵
耗尽层沟／源极3
最大电流
最小电流
Rest取值范围
漏泄电流ICP 3
耗尽层与电流匹配
ICP与 VCP关系
ICP与温度关系
2.5
0.312
2.7/10
0.2
2
1.5
2
mA
mA
kΩ
nA
%
%
%
最大RSET = 4.7 kΩ
1.25 V ≤ VCP ≤ 2.5 V
1.25 V ≤ VCP ≤ 2.5 V
逻辑输入
高压输入
低压输入
输入电流IINH/IINL
输入电容Cin
1.5
0.6
±1
3.0
V min
V max
µA max
pF max
逻辑输出
VOH输出为1电压
IOH输出为1电流
VOL输出为0电压
DVDD – 0.4
500
0.4
V min
µA max
V max
CMOS输出选择
IOL = 500 µA
电源
AVDD
DVDD
VVCO
AIDD 4
DIDD 4
IVCO4,5
IRFOUT 4
睡眠状态4
3.0/3.6
AVDD
AVDD
10
2.5
24.0
3.5–11.0
7
V min/V max
mA
mA
mA
mA
µA
ICORE = 15 mA.
射频输出级可编程
射频输出特性5
VCO输出频率
VCO灵敏度
锁定时间6
频率推移(开环)
频率牵引(开环)
第二谐波含量
第三谐波含量
输出功率5,7
输出功率偏差
VCO调谐范围
2050/2450
50
400
6
15
−19
−37
−13/−4
±3
1.25/2.50
MHz min/max
MHz/V
µs
MHz/V
kHz
dBc
dBc
dBm
dB
V min/max
ICORE = 15 mA
内部最终频率10HZ
在3分贝梯级锯台可编程,
和谐负荷参见输出功率匹配一节
噪声特性5
合成器相位噪声电平8
合成器固有噪声电平9
频带内的相位噪声10,11
RMS集成相位误差12
PFD寄生信号11,13
用MTLD信号做解锁电平
−111
−133
−141
−147
−172
−163
−147
−85
0.56
−65/−48
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
度
dBc/ dB
100kHZ载波电流偏移量
1MHZ载波电流偏移量
3MHZ载波电流偏移量
10MHZ载波电流偏移量
PFD25kHZ
PFD200kHZ
PFD8MHZ
1kHZ载波电流偏移量
100HZ—100kHZ
1.工作温度范围 -40°C to +85°C
2.设计保证符合样值
3.ICP内部参数使整个频率范围保持环路增益不变
4.TA= 25°C； AVDD = DVDD = VVCO = 3.3 V；P = 32
5.这些特征是为了保证VCO核心电流=15mA
6.变频范围1.45G—1.75G,PFD频率200kHZ,环路带宽10kHz
7.VVCO用50Ω负载电阻
8.VCO的噪声在开环下测量
9.合成器固有噪声通过测量VCO带内的相位噪声输出功率减去20logN(N为对频率的分频值)
10.相位噪声符合EVAL-adf4360-xEB1和HP8562E频谱分析仪, 频谱分析仪用来测量合成器输出, 偏移频率=1kHz
11.fREFIN=10 MHz；fPFD =200kHz；N=8000；环B/W=10kHz
12.fREFIN=10 MHz；fPFD=1MHz；N=1600；环B/W=25kHz
13.寄生信号符合EVAL-adf4360-xEB1和HP8562E频谱分析仪, 频谱分析仪用来测量合成器输出, fREFOUT = 10 MHz
时序特性
AVDD = DVDD = VVCO = 3.3 V ± 10%；AGND = DGND = 0 V；1.8 V and 3 V logic levels used； TA = TMIN to TMAX
表2
参数 限制在Tmin~Tmax(B方案) 单位 试验条件/注释
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7 20
10
10
25
25
10
20 ns min
ns min
ns min
ns min
ns min
ns min ns min LE建立时间
数据时钟建立时间
数据时钟保持时间
时钟高电平持续时间
时钟低电平持续时间
LE时钟建立时间
LE脉冲宽度
图2 时序特性表
极限工作范围
TA = 25°C，其它另做说明
表3
参数 取值范围
AVDD~ GND1
AVDD~ DVDD
VVCO~ GND
VVCO~ AVDD
数字I/O口与地电位差
模拟I/O口与地电位差
REFIN与地电位差
工作温度范围
CSP θJA热阻抗最高结温
发光二极管焊接温度
气相（60S）
红外线（15S） −0.3 V ~ +3.9 V
−0.3 V ~ +0。3 V
−0.3 V ~ +3.9 V
−0.3 V ~ +0.3V
−0.3V ~ VDD+ 0.3 V
−0.3 V ~ VDD + 0.3 V
−0.3 V ~ VDD + 0.3 V
150°C
50°C/W
88°C/W
215°C
220°C
GND = AGND = DGND = 0 V.
当芯片工作在高于以上所列的最大工作范围时将可能造成设备的损坏。这只是强度的范围；设备如需要工作在这些条件或其他高于所列条件下的情况没有列出。长时间处于最大范围条件下工作会影响设备的可靠性。
这种设备是一种带有＜1kv ESD范围的高性能射频集成电路，并且是ESD敏感的。应该采取适当的保护措施来操作装配。
晶体管参数
12543 (CMOS) and 700 (Bipolar)
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