GaN半导体材料为直接带隙材料,在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景。相对于蓝宝石衬底而言,Si作为GaN蓝光LED衬底有许多优点,如:良好的导电、导热性、晶体质量高、尺寸大、成本低、容易加工等。然而由于Si衬底与GaN外延层之间巨大的晶格失配和热失配,这使Si衬底上的GaN材料产生大量的位错及裂纹,为Si衬底上GaN材料生长设置了障碍。近几年来,在Si衬底上生长GaN取得了很大的进展,有少数几家研究组报道在Si衬底上制备出了GaN基发光器件。但对其LED器件的性能的研究并未深入,故本实验选择Si作为衬底进行研究，期待得到Si衬底GaN作为蓝光LED器件的一些性能。
1.3课题的目的
本课题探讨LED衬底的微纳结构对LED发光光谱、光效等性能的影响。目前的工作都是改变内量子效率和光析出效率,希望在后续的工作中（外延处理）能改变频谱和性能，希望改善频谱制作单芯片白光LED。 GaN基LED衬底微纳结构研究(4):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_34865.html