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中氮茚3位的氧气氧化Heck反应条件探索(2)

时间:2020-09-13 21:25来源:毕业论文
但是,传统的Heck反应底物之一是卤代芳烃或烯烃,底物范围受到限制,而且反应步骤多,目前已经很难再有较大的发展空间。因此,通过开发新的交叉偶

但是,传统的Heck反应底物之一是卤代芳烃或烯烃,底物范围受到限制,而且反应步骤多,目前已经很难再有较大的发展空间。因此,通过开发新的交叉偶联反应,来扩展反应底物的范围,就显得非常必要。近年来,发展迅猛的过渡金属催化的C-H键直接脱氢进行交叉偶联,是一类符合绿色环保的新型反应。

最近五年,已有数个课题组开展了中氮茚3位的氧气氧化Heck反应的研究。比如,浙江大学的张玉红课题组,先后利用中氮茚和苯乙烯类化合物、α,β不饱和羧酸类化合物进行交叉偶联合成了一系列3-烯基中氮茚[10,15]。本课题组之前发现,中氮茚和缺电子烯烃,在钯催化下,以醋酸铜为氧化剂,可以发生Heck类型的脱氢交叉偶联反应[9]。然而,到目前为止,所有已报道的中氮茚发生的Heck类型的交叉偶联反应都需要使用过量的过渡金属氧化剂,比如醋酸银、醋酸铜等。这些试剂本身具有较高的毒性,容易对环境造成污染,同时也会极大地增加反应的成本。因此,开发新型的环保低毒的可用于中氮茚交叉偶联反应的氧化剂就显得很有必要。

基于以上考虑,我们拟开发一种从中氮茚出发,与缺电子烯烃在钯催化下,以氧气作为最终氧化剂,合成3-烯基中氮茚的新方法。本文重点探索了不同的添加剂对于该反应产率的影响。

中氮茚3位的氧气氧化Heck反应条件探索(2):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_60378.html
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