在SiC半导体中掺杂磁性金属离子，使之具有许多以前所不具备的特点。磁性金属离子通过替代SiC中的Si原子或者C原子，使传统的SiC半导体材料发生顺磁性，铁磁性，反磁性的变化。目前，SiC基稀磁半导体的研究仍处于起步阶段，且现有的研究大多集中在过渡金属原子单掺杂SiC方面，对于共掺杂的SiC材料研究报道很少[11]。虽然许多研究已经报道了室温铁磁性，但在高质量样品的制备、铁磁性的来源和机理、TM掺杂磁性离子的分布和电子自旋状态的表征等方面存在许多需要解决的问题。首先，对于稀磁半导体，只有替位式磁性金属离子对电子自旋极化载流子才有贡献，这就要求控制好TM磁性元素掺杂浓度以抑制第二相和磁性粒子团聚的生成。其次，了解电子自旋状态是非常必要的，但目前对SiC基稀磁半导体的电子自旋状态研究大多数集中在理论方面，常规磁学实验方法只给出样品的总磁矩，难于选择性地测量磁性离子的电子结构和自旋状态。
    本篇文章就是主要研究Co离子取代 SiC半导体薄膜中的Si原子或者C原子后，对其磁性能的影响。
2.掺杂不同Co浓度的SiC稀磁半导体薄膜的制备
2.1磁控溅射法
    磁控溅射法制造薄膜的技术是一项发展成熟的技术，其制备出的薄膜质量非常好，膜层厚度非常均匀，与衬底结合也非常紧密，稳合。另外一个方面，采用溅射法还可制备非晶态、晶态和纳米晶体薄膜，在生活中的应用非常之宽广[9]。 Co掺杂含量对SiC薄膜磁性能的影响(2):http://www.751com.cn/wuli/lunwen_22580.html