1. SiC稀磁半导体
1.1 SiC的概述
第三代半导体材料的SiC，随着科技的发展受到了社会的认可，因此SiC半导体材料有十分庞大的潜在市场，对于SiC半导体材料的物理特性的了解，本文通过SiC 和Si、GaAs 之间的性能参数的比较可以看出：
表1 性能参数的对比
材料    Si    GaAs    3C-SiC    6H-SiC    4H-SiC
禁带宽度Eg(eV)    1.12    1.42    2.36    3    3.23
热导率(w/k.cm)    1.5    0.54    4.9    4.9    4.9
相对介电常数    11.9    12.5    10    9.7    9.7
电子报和飘逸速度(cm/s)    107    2×107    2×107    2.5×107    2.5×107
击穿电场(V/cm)    3×105    4×105    (1~5)×104    (1~5)×104    (1~5)×104
熔点(k)    1690    1510    >2100    >2100    >2100
莫氏硬度    7    <6.25    9    9    9
克氏硬度(Kg/mm2)    1100~1400    700~800    3000    3000    3000
    SiC材料不仅具有优越的物理化学特性而且其工艺技术也在不断地发展，但是SiC器件还是有缺点的；因此可以通过对SiC材料进行探究，通过改造SiC器件的结构、提高器件工艺技术或者探索新型的器件结构来充分发挥SiC材料的优势[3]。 Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响(2):http://www.751com.cn/wuli/lunwen_26030.html