国内的椭偏测量术最早始于20世纪70年代，在著名物理学家黄昆院士的建议下，由中山大学莫党教授等开展研究。70年代中期，由莫党教授等设计制造出我国第一台椭偏仪TP-75型 ；1982年莫党教授等又研制成TPP-1型椭偏光谱仪 ；1989年实现了椭偏光谱仪的自动化 ；1992年进一步提高了自动化程度及测量精度，并采用了快速变换入射角系统 ；西安交通大学于1987年研制出了单波长固定入射角的光度式自动椭偏仪 ；1993，1998年上海复旦大学的陈良尧教授负责研制出了一种全自动椭偏光谱仪 ；华南师范大学和重庆大学于1996年初开始对消光式自动椭偏仪进行研究，并于1997年4月完成系统的安装和调试，在此基础上华南师范大学研制成功HST-1型消光式椭偏仪；2000年中科院力学研究所勒刚研究员负责研制出我国第一台椭偏光显微成像仪 ，该仪器可以进行纳米级测量和对生物分子动态变化及其相互作用实时观测。国内多家大学和科技单位相继开展了椭偏光谱仪器的研制和生产，目前己形成批量生产的有杭州光学仪器厂的WJZ型手动椭偏仪，华南师范大学生产的HST-1型智能椭偏仪和复旦大学物理系生产的自动椭偏光谱仪。其中复旦大学的自动椭偏光谱仪的不少性能还优于美国Rudolph Research的商品椭偏光谱仪；另外2005年天津港东科技推出了SGC-2型自动椭圆偏振测厚仪。
总的来说，我国在SE方面的研究虽然起步较晚，但发展迅速。目前，部分领域己走在世界前列。
1.3.3  椭偏测量术的应用
椭偏光谱测量法的蓬勃发展迎来了第一届国际椭偏光谱会议，1993年，第一届国际SE会议在法国巴黎召开。到1997年在美国南卡罗来纳州举办了第二届国际SE会议时，SE的发展已经是多种多样了，出现了超快SE 、反射差别SE 等，应用也扩展到各种实时测量椭偏光谱。目前，椭偏测量涵盖的范围已经包括了半导体制造业、电子工业、光学工业、金属材料、化学纤文、化工、生物学、医药学等行业。具体可分为:
(1)体形材料的光学性质和薄膜态材料的光学性质及厚度信息。
(2)在微电子领域中研究薄膜生长过程，薄膜厚度，半导体的表面状况以及不同材料的界面情况，离子的注入损伤分布等。
(3)以及与薄膜相关的其他行业:半导体工业的各种薄膜和多层结构，光电子工业的涂层，数据存储工业的磁膜，平板显示工业的ITO薄膜和薄膜晶体管的结构，生物和化学工业的各种有机层，分子膜等。 TPY-2椭偏法测量薄膜厚度的实验研究(4):http://www.751com.cn/wuli/lunwen_9290.html