1.2.2 在电学方面的特性及应用
    Wiley[19]等和lu[20]等在研究银纳米线的基础上,将铜纳米线涂敷在聚乙稀膜的薄层上并做电学性能测试。结果发现铜纳米线薄膜的输光率要比碳纳米管高15%,尽管在相同的薄层电阻的条件下,要比铟锡氧化物的低25%,同时也发现,当在铜线的聚集度在变低的情况下,铜纳米线的薄膜性能可以与银纳米线得薄膜性能相当,且非常接近于铟锡氧化物。铜纳米线薄膜的制备成本较低,可以在溶液中制备,因此，铜纳米线在未来可以取代银纳米材料和铟锡氧化物材料,广泛的应用于平板电视,电脑,薄膜太阳能电池以及可折叠的柔性显示器中,这将对电子科技的发展做出巨大的的贡献。同时,铜纳米线阵列有很低的开启电场和很高的稳定性等特性,在冷场发射源方面潜在着巨大的应用。 基于Cu纳米线制备Cu(N3)2CNTs复合含能材料(3):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_19796.html