1.3.1  离子掺杂
离子掺杂是将离子引入到光催化剂的晶格内部，影响电子空穴对的复合，离子掺杂会发生物理变化及化学变化。离子掺杂不仅可以改变晶格类型及形成缺陷，同时也会改变光催化剂的禁带宽度，增大对光的吸收范围，最终改变其光催化活性。掺杂稀土元素离子能降低电子空穴对的再结合，增加界面电子的传递效率，比如La-TiO2[27]，Nd-TiO2[28]和Ce-Bi2O3 [29]。Xu等人[30]通过水热法合成镨掺杂的BSO样品，XRD分析并通过谢乐方程计算可得出晶粒大小随着镨的增多而减小。镨离子有助于晶粒界面的分离，通过限制晶粒的直接接触而抑制晶粒的生长。1%-Pr-BSO比表面积高，为光催化反应提供了更多的活性场所并且增强了分界面反应进程，因而催化效率更高。镨掺杂有效地转移了BSO的吸收边并且阻碍晶粒的生长。所制备的镨BSO光催化剂呈球形，拥有中孔表面。最佳镨掺杂浓度为1.0mol％，而过量的镨对光催化降解效率有负面影响。 光催化复合材料的研制+文献综述(4):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_19803.html