除了矩形谐振腔外，圆形SIW腔体也可用来实现滤波器。文献利用基于圆腔和椭圆腔体的基片集成波导双模滤波器的互补特性实现了高性能的双工器，上下两个通带的中心频率分别是26GHz和25GHz，实测带内插入损耗分别是2．09dB和1．95dB，隔离度大于50dB。

2．SIW与微带低通滤波器结合

为了实现宽带带通滤波器，有学者将具有高通特性的SIW与普通的微带线阶梯阻抗低通滤波器结合，实现宽带特性。另外，可以将微带线阶梯阻抗滤波器与SIW带通滤波器级联，有效地抑制谐波，改善阻带特性。文献综述

3．SIW与EBG、DGS等结构结合实现宽带带通滤波器

周期性的EBG、DGS等结构都具有低通特性，将它们与SIW的高通传输特性结合，可以实现宽带带通滤波器。文献将嵌套的圆形补偿型开口谐振环刻蚀在SIW的上表面金属层上，所实现的宽带带通滤波器的相对带宽达到30％，带内插入损耗小于1．5dB，回波损耗小于．20dB，最大带外衰减达到50dB，具有较好的滤波特性。

4．SIW交叉耦合带通滤波器

交叉耦合带通滤波器在非相邻的谐振腔中引入耦合，在带外有限频率处实现传输零点，提高带外抑制能力，改善群时延特性。基于SIW技术的交叉耦合滤波器与传统的SIW滤波器相比，尺寸更加紧凑，具有更好的频率选择特性。文献中引入负耦合结构设计了源和负载耦合的SIW四阶交叉耦合带通滤波器，带内最小插损大约是ldB，带外产生了四个传输零点，提高频率选择特性的同时，群时延特性得到了改善。

5．折叠基片集成波导带通滤波器

2001年，Grigoropoulos等人提出了折叠基片集成波导(FSIW)的概念，FSIW的宽度近似为SIW的一半，厚度增加为原来的两倍，与SIW的开放式结构不同，FSIW实现带通特性的结构加载在两层介质中间的金属层上，有效地减小了辐射损耗。文献将SCMRC与折叠基片集成波导结合实现的宽带带通滤波器带宽达77．2％，具有宽带小型化的特点。

6．半模基片集成波导带通滤波器

2005年，洪伟教授提出了HMSIW，尽管HMSIW的尺寸只有SIW的一半左右，但它仍然继承了SIW的传输和截止特性，而且HMSIW的传输模式特性使得基于HMSIW的带通滤波器的通带与第一个寄生通带之间的阻带更宽，具有更好的带外抑制特性。这些小型化技术为一些新颖的小型化射频、微波电路的设计提供了新的平台。

7．小型化、芯片化的SIW带通滤波器来.自/751·论|文-网·www.751com.cn/

近年来，国内外学者用LTCC等新技术实现了SIW带通滤波器的小型化，此类滤波器在体积、成本和温度稳定性等方面有其无可比拟的优势。另外，基于硅等半导体材料，采用微机电系统(MEMS)技术加工的SIW带通滤波器尺寸很小，更有利于微波系统的单片集成化，具有巨大的发展潜力。

最近几年，国内外在充分研究SIW技术的基础上，实现了许多高性能的SIW

器件，比如滤波器，天线等。国外甚至利用SIW技术做出了100GHz甚至200GHz

的毫米波电路，这些成就充分说明S1W技术发展潜力巨大，值得深入研究。