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    表1 砷化镓单晶的掺杂及掺杂杂质的性质
    器件应用    掺杂元素    衬质类型    掺杂浓度
    微波器件:
    雷达、电子战系统和通信系统等电子装备    Te、Sn    
    N+    1017~1018Si
    I    ~1017    Cr、O        
    红外器件:
    遥控、遥测和通信领域    Si    N+    1017~1018
        Zn    P+    1017~1018
        Te    N+    1017~1018
    激光器件    Te、Sn、Si    N+    ~1018
    可见光器件    Te、Sn、Si    N+    1017~1018
    红外调制器件    Cr、O、Fe    I    ~1017

    表2 不同杂质在GaAs中形成不同的能级
    掺杂元素族    掺杂元素    掺杂状态    掺杂剂类型    机理
    Ⅱ    Be、Mg、Zn、Cd、Hg    浅受主    P                                                                                
    Ⅳ    Si、Ge、Zn        两性    杂质的性质、浓度及材料制备过程中掺杂的条件
    Ⅵ    S、Se、Te    浅施主    N    
    过渡元素    Cr、Mn、Co、Ni、Fe、        V→    施主
    深受主        
    与化学价态有关
    元素    Si    Ge    Ga    As
    原子半径(Å)    1.17    1.22    1.26    1.18
    1.3 砷化镓单晶的生长方法
    早期市售GaAs单晶多采用液封直拉法生长。该方法是在传统直拉法基础上增加B2O3液封技术形成的一种生长GaAs晶体的专用方法,英文Liquid encapsulated Czochralski method,简称LEC。但随着器件性能和工艺的发展和进步,LEC工艺生长的晶体由于过高的位错,不能满足高性能器件的需要。为了减少位错以及其他特殊的需要,人们发展了多种新的生长工艺,比如HB(水平布里奇曼法)、VCZ(Vapor Control Czochralski,蒸汽压控制直拉法)、VGF(垂直梯度凝固法)、VB(垂直布里奇曼)、等。经过多年的发展, VB或VGF工艺以其优良的晶体性能已经成为行业主流。
    1.3.1 液封直拉法(Liquid Encapsulated Crochralski, LEC)
    Mullin等人采用LEC工艺生长GaAs单晶,建立了一套完整的工艺路线,至今仍是广泛用于制备高速高频电路和器件的SI-GaAs单晶的基础和主要技术。通过多加热器生长炉和控制晶体冷却的后加热装置,一般在2MPa氩气氛下,有实验论证亦能在1MPa压力下完成,采用可重复使用高纯热解BN(PBN)坩埚,从30kg砷化镓熔体中生长出直径达200mm的单晶。
    图是LEC工艺的生长示意图。第二代砷化镓单晶生长炉即高压液封直拉法高压单晶炉[8]就是在这个时期开始使用的。它可通过原位合成避免二次污染,解决了砷化镓单晶材料半绝缘特性,大幅度提高生产率以满足特别是光电器件和通讯市场的需求。为了降低生长过程中较大的温度梯度高达500℃/cm[9],又继续发展了多种技术如液封泡腾技术(liquid encapsulated kyropoulos, LEK)[10]和得到改善的单晶生长炉如部分低压液封直拉法(low pressure liquid encapsulated Czochralski, LPLEC)常压单晶炉、全液封直拉(full encapsulated Czochralski, FEC)单晶炉、气压控制直拉法单晶炉和磁耦合直拉技术
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