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光电子发射探测器也是被人们所运用的一种探测器。这种探测器的原理涉及到一种被称之为外光电效应的效应。主要就是一些材料比如半导体还有一些金属以及它的氧化物，当这些材料接受到紫外入射的时候，如果这些光子的能量比较大，大到可以使上面那些材料内部的一些电子接受到这些高能量的光子后拥有了足够大的能量，可以从材料内部逃逸出来。这些紫外探测器就是上文提到过的一些真空光电二极管还有的就是光电倍增管。与前面的光电探测器相比。它是应用了内光电效应这种原理。紫外探测器发展到今天已经经历了三代。第一代的材料主要是现在各种器件所常用的硅。第二代主要是一些化合物半导体，这里比如GaAs以及InP这些材料。到了第三代则主要是使用一些宽带隙的半导体了，我们在本文中所制备的氧化锆材料就是一种宽带隙的半导体，此外GaN和SiC也是常用的紫外探测材料。