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矩形比：Br∕Bs 。当Br/Bs≈1时磁滞回线近似为矩形，具有近似矩形磁特性的磁心，称为矩形磁心。在理想情况下，Br/Bs＝1，磁滞回线呈理想矩形。
磁导率μ：是磁滞回线上任何点所对应的B与H的比值，与器件工作状态密切相关。
居里温度Tc：铁磁物质的磁化强度随温度升高而下降，达到某一温度时，自发磁化消失，转变为顺磁性，该临界温度称为居里温度。它确定了磁性器件工作的上限温度。
1.4 ConC化合物
六方紧密堆积的钴具有很强的硬磁性，以及非常大的各向异性[5-8]。VG Harris[9]等人利用多元醇合成了Co2C和Co3C两相混合的化合物如图2-3[10-11]。将醋酸钴加到醇溶液中，添加PVP，NaOH和醋酸钐，N2保护并且加热到573K，最后分离出黑色的粉体，真空干燥。得到的碳化钴具有针状的形貌特征，由于这种形貌，其矫顽力Hc很大，Hc=3.4kOe，最大磁能积（BH）max=20kJm-3，然而居里温度只有510K，当温度达到700K时，碳化钴将会发生不可逆的分解。
室温下ConC的磁滞回线
这种化合物在磁性方面完全能够媲美那些由稀土制成的、传统的永磁材料。此外，这种材料还能在高温下存储信息，具有良好的耐热性和稳定性，并具备长程有序的特点，在数据存储应用领域也有潜在的应用价值。源:自*751~·论,文'网·www.751com.cn/
Yajing Zhang[12]等人采用一锅煮的办法合成了CoxC(x=2，3)纳米晶体，改变合成参数，最终得到的形貌也从不同尺寸的纳米粒子变成纳米线。磁特性和最终的形貌有密切的联系。Yajing Zhang等人合成的CoxC，矫顽力达到3.1kOe。清华大学的唐瑞鹤等人[13-14]采用磁控溅射法在硅基片上制备Co原子分数为13%的Co-C纳米复合薄膜。在真空条件下，对薄膜进行退货处理，退火温度从473K逐步提高到773K，保温时间30min。未经退火处理的Co-C纳米复合薄膜磁性较弱，M=52.6Ka/m，随着退火温度逐步升高，Co-C纳米复合薄膜的磁性显著增大，773K退火样品的M增至229.2Ka/m，由于退火后Co颗粒尺寸增大，在磁场作用下，大尺寸的Co颗粒更容易磁化，并且抗热扰动能力增强。J. Shi[15]通过等离子溅射和CVD方法分别合成Co-C复合薄膜和ConC多层膜结构，但是他们研究发现Co-C薄膜在室温下分解是无定型的，矫顽力和饱和磁化率都很低，但是在250℃时，钴和无定型的碳合成Co-C相，矫顽力和饱和磁化率都增加了，饱和磁化率达到602emg/cm3，矫顽力达到1.6Oe。在碳钴化合物这个材料中，碳起了一个很重要的作用，碳分离开了钴的微晶，并且也分离了磁性之间的耦合，这样可以获得高的矫顽力，因此这种材料可以应用在磁头和其他高频率[16]的磁性材料中，也就是说低的矫顽力和好的频率效应是必须的。最近一些科学家同时减小矫顽力和涡流损耗，通过绝缘层的层压[17-20]，薄膜电阻率高的有利于减少涡流效应，所以无定形碳掺进钴中就是一个很好的应用。Co-C复合薄膜和ConC多层膜的饱和磁化率（Ms），矫顽力（Hc）以及电阻率（ß）在表1.3中列出。Co-C复合薄膜在室温下显示了低的饱和磁化率和矫顽力，高的电阻率，这是由于薄膜无定型的形貌决定的，而且钴和碳的团聚也是其中一个原因。增加衬底的温度到250℃，将会导致在磁电性能方面大的改变，饱和磁化率和矫顽力都增加了，但是电阻率降低了。这些改变是由于钴和碳之间的扩散，以及钴晶体的形成。在这个实验中，最后得到的薄膜矫顽力达到63Oe。
过渡族元素金属钴和铁是典型的铁磁性金属，钴是能增加铁的磁化的唯一元素，说明钴具有很独特的性能。ConC化合物的磁性能整体优于CoNi合金，而且碳的含量在地球上远远大于镍，所以本文主要选择ConC化合物体系研究其合成以及磁性能。