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在硼掺杂金刚石薄膜表面不能直接修饰金纳米粒子，必须要先使薄膜表面活性化达到能够接受大量金纳米粒子的程度。通常先对硼掺杂金刚石薄膜表面进行氨基化修饰[15]，即将薄膜表面原有的C-H替换成C-NH3+[16]，通过此处理之后，薄膜表面活性大大提高，能够在表面进一步接受金纳米粒子[17]，从而得到有金纳米粒子修饰的硼掺杂金刚石薄膜。
1．6 本论文的研究内容
（1）用微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVD）法在硅衬底上沉积硼掺杂纳米金刚石薄膜。
（2）用SEM研究硼掺杂金刚石薄膜以及金纳米粒子修饰后薄膜的表面形貌。
（3）对硼掺杂金刚石薄膜表面进行金纳米粒子的功能化修饰，并用TEM研究了制备的金纳米粒子的表面形貌，用SEM观察了金纳米粒子修饰硼掺杂金刚石薄膜的表面形貌。
（4）将金纳米粒子修饰硼掺杂薄膜制成电极，用交流阻抗法以及循环伏安法对其电化学性能进行研究，并将电极用于葡萄糖及其共存物质的检测。