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erably, e.g., (Ip)
Zr
= 3.15 A in pure Ar at PAr = 0.26 Pa
compared to (Ip)
Zr
= 2.5 A at P = 0.01 Pa (vacuum). The
addition of PAr = 0.26 Pa improved the process stability,
especially for the Al cathode, as the number and amplitude
of the arc voltage fluctuations decreased. It resulted in an
increase of (Ip)
Investigation of the Ip and arc voltage (Varc) depen-
dence on time for various PO2
showed different behaviorAl2O3-ZrO2涂层真空电弧沉积的电弧行为和涂层特性
引用 真空电弧沉积系统配备了两个有限平面阴极沉积是抽象的Al2O3–ZrO2涂层。在真空和低压氧或氩氧背景下，等离子体通过环形阳极孔向上的导管轴基板或静电离子电流探针定位注入到一个圆柱形磁管。离子电流和电弧电压的测量和目视观察的阴极斑点被用来寻找稳定的电弧放电条件下，使用等离子体的直管道配置。阴极现场操作和在管道中的等离子束的传输进行了研究作为一个函数的电弧电流（IARC = 25–200）和氧或氧氩气压力（P = 0.1–1.5 Pa）。暴露的Si或WC Co基片同时–Al和Zr的等离子体，使用1 / 8在O2环面的过滤器配置涂料制备Ar压力。该涂料组合物，结构，显微硬度，粘附性，和磨损性能作为沉积参数的函数进行了研究。在稳定电弧的有利条件，得到了IARC = 75和100分别为Al和Zr的等离子体。随着氧气压力，离子电流和电弧电压降低。离子电流和电弧电压表明阴极中毒开始在P = 0.5 Pa的沉积速率为0.3-0.6 LM /分钟，取决于在基板上的位置。所有涂层的'zr丰富”，即Zr：Al比值在1.2–5.6取决于在基板上的位置和沉积条件的范围，具有较高的氧化锆浓度涂层越有更好的耐磨损性。涂层的硬度在500 C或75–100 V的负偏压的沉积温度达到最大值的22–24 GPA。