溴化银微米球的合成及表征(2)

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自从Fujishima 和Honda在1972 年发现将TiO2 单晶放入水中进行了紫外灯照射后，使H2O 分解成H2 和O2 以来，全球掀起了一股研究半导体光催化的热潮，使半导体光催化技术在催化领域占有了一席之地。由于学科的特殊性和应用的广泛性，半导体光催化与其他学科，如物理学、化学、生物学、材料学、环境学和能源学等，相互交叉，是一门新颖的科学技术。目前，经过科学家们的不懈努力，各式各样的半导体光催化材料被发现和利用，取得了一定的成就。例如，光催化分解水制氢气和氧气，将太阳能以氢能的形式储存起来；光催化氧化技术，该方法可以降解一些难以降解的染料和有机污染物，杀菌，除臭和防腐[5]；光催化还原的利用，这方面的研究有着广阔的前景，引起了国内外许多科学家的关注。

进入20世纪90年代，纳米科学技术的快速发展为纳米材料光催化技术的应用提供了极好的机遇。由于控制纳米粒子的粒径和表面积等技术手段日趋成熟，使得通过材料设计来提高光催化材料的量子产率成为了可能。而近年来，环境光催化技术也在实际应用中产生了惊人的效益。文献综述

常见的环境光催化材料主要有分子筛光催化材料、有机物光催化材料和半导体光催化材料等几种类型。分子筛是一种高效的、强选择性的光催化材料载体，分子筛的纳米微孔反应场具有特殊的光催化性能[6]。

半导体光催化剂的价带（valence band, VB）和导带（conduction band, CB）之间存在一个禁带。当半导体吸收一个能量高于半导体吸收阈值的光子时，半导体VB 上的电子发生带间跃迁，即从VB 跃迁到CB，从而产生光生电子-空穴对。此时，部分光生电子和空穴将在半导体体相中或表面上复合，没有复合的光生电子和空穴将迁移到半导体表面。于是，吸附在催化剂颗粒表面的溶解氧捕获光生电子形成超氧自由基（•O2-），而空穴将吸附在催化剂表面的H2O 或OH-氧化成氢氧自由基（•OH）。由于•O2-和•OH 具有很强的氧化性，所以能将绝大多数的有机物氧化至最终产物CO2 和H2O。

AgBr 半导体材料是卤化银（AgX，X=Cl、Br、I）家族中的重要一员。常温下是淡黄色固体，不溶于水和酸，可见光下易分解成Ag 和Br2。AgBr 具有NaCl 型晶格，熔点为423度，温度高于1300 度时分解。AgBr 是一种理想的感光材料，常用于照相技术、变色眼镜镜片和人工降雨的胶体材料[7]。AgBr 还是一种很好的光催化材料，但是由于AgBr 的光腐蚀性（光分解），在很大程度上制约了它的实际应用，因此在保持其优异催化活性的前提下，提高其使用稳定性是当务之急。来`自^751论*文-网www.751com.cn

本课题拟以一种简单的离子交换法合成AgBr微米晶体。

2 实验步骤

实验过程中所有试剂均为分析纯的纯度，直接使用而不需要进一步纯化。在室温下将0.017克硝酸银和0.0075克盐酸羟铵分别溶解在10毫升去离子水中，形成均质溶液。然后将两者迅速混合形成AgCl胶体。接着，将0.04克CTAB加入了AgCl胶体中，控制CTAB和AgCl的摩尔比为1.1:1。将上述胶体转移到25毫升水热釜中。在170度温度下水热8小时。产物经自然冷却、洗涤、干燥，获得最终产品。

所制得的产品用X射线粉末衍射（XRD）进行表征，仪器为Bruker D8 Advance X射线衍射，X射线源为Cu 靶（k= 1.5418 Å，D/max 18kV），扫描电子显微镜（SEM）用的是Philips Tecnai 12扫描电子显微镜。并用Philips DX - 4能谱仪（EDS）来确定在特定区域内的元素的组成。