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摘要：本文主要研究PbSe的可控制备及其生长机理。通过对反应温度及时间的控制，研究了反应温度及时间对PbSe纳米材料形貌机构的影响，并探讨了不同形貌结构的生长机理。
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本文研究内容如下：
通过液相制备方法，通过控制反应温度及反应时间，制备了长度2-5um、直径100-200nm的PbSe纳米线。38540
通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）等表征方法，研究了PbSe纳米线的生长机理。结果发现：1. 随着反应温度的提高，PbSe的形貌由量子点向线变化。在250℃时得到的样品全部为纳米线。2. 随着反应时间的增加，PbSe纳米线的直径和长度逐渐增大，但当时间到达 3min后，直径不再增加，只有长度增加。
毕业论文关键字：PbSe 纳米线 可控制备 生长机理
Controlled Synthesis and Growth Mechanism of PbSe Nanowires
Abstract：This work focused on developing the controllable synthesis and growth mechanism of the PbSe nanowires. We studied the effects of reaction temperature and time on the morphology of PbSe nanowires by controlled the reaction temperature and time,and discussed the growth mechanism of different morphologies structures.
This article summarized as follows:
1. PbSe nanowires of 2-5um length and 100-200nm diameter were prepared by controlled the reaction temperature and time.
2. We studied the growth mechanism of PbSe nanowires in different sizes by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD).
The results of this work as follow:
1. The morphology of PbSe changes from the particle to wire. With the temperature increased，We can get nanowires at the temperature of 250℃.
2. The size of PbSe nanowires becomes thicker and longer with increasing reaction time, but when the reaction time comes to 3min,there is no more increase in diameter , only has increase in length.
Keywords: PbSe nanowires Controllable synthesis Growth mechanism
目录
第一章 绪论 1
1.1 引言 1
1.2半导体纳米材料简介 1
1.3 纳米材料的特殊效应 2
1.3.1 量子尺寸效应 2
1.3.2 表面效应 2
1.3.3小尺寸效应 2
1.3.4 宏观量子隧道效应 3
1.4纳米材料的生长过程 3
1.4.1 纳米晶体的生长过程的两个阶段 3
1.4.2 纳米晶体的生长过程的两种生长机理 4
1.5 PbSe过渡族金属硫化物、硒化物的光谱效应 4
1.5.1发射光谱可调谐 4
1.5.2 具有较窄的发光光谱及较宽的吸收光谱 5
1.5.3 荧光强度强且光温定性好 5
1.5.4 荧光寿命长 5
1.5.5 斯托克斯位移大 5
1.6 PbSe纳米材料的应用 6
1.6.1 电致发光器件 6
1.6.2红外探测器 6
1.6.3 太阳能电池 6
1.6.4 纳米电子管 7
1.7 PbSe半导体纳米材料的合成制备 7
1.8本论文选题思路与研究目的 8
第二章 基于液相法合成PbSe，通过温度、反应时间调控PbSe粒子尺寸研究PbSe纳米线的生长机理 10
2.1 合成环境与设备 10
2.2 实验方案 11
2.3 实验原料 12
2.4 取样过程 13
2.5 实验过程 13
2.6样品清洗过程 14
2.7样品表征取样处理 14