-
自1928年GaN首次合成到1969年成功制备出了单晶GaN晶体薄膜，都一度给这种材料带来了新的希望。但始终进展十分缓慢．直到进入90年代以来．由于缓冲层技术的采用n型和p型接杂技术的突破。对GaN的研究热潮在全世界蓬勃发展起来．并且取得了辉煌的成绩。lnGaN超高亮度蓝、绿光LED已经实现商品化。目前，开发竞争的焦点主要集中在蓝光LD方面，以及大功率高温半导体器件和微波器件用材料的研制和器件制备方面。27829
- 上一篇：多媒体技术国内外研究现状及发展趋势
- 下一篇：汽车制动钳国内外研究现状和发展趋势
长期以来科学工作者对丁GaN体单晶材料的生长进行厂许多积极的探索”．但因为GaN的熔点高达1700摄氏度左右，所以难以采用熔融的熔体制备GaN体单晶材料，而必须采用高温高压技术．但由于GaN在高温生长时氰的离解压很高，目前很难得到大尺寸的GaN体单晶材料，所以只能在其它衬底上进行异质外延生长。存各种生长技术中卤化物气相外延(HVPE)、金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延(MBE)技术已经成为制备GaN及其相关三元，四元台金薄膜的主流生长技术。此外．近年来随着研究工作的深入，在上述三种技术的基础上，一些新的生长方法也被开发出来。（1）金属有机化学气象沉积（MOCVD）技术。（2）分子术外延（MBE）技术。（3）卤化物气象外延（HVPE）技术。论文网
近年来，宽带隙（Eg>2.3ev）半导体GaN的发展异常迅速，是目前全球半导体研究的前沿和热点，与SiC、金刚石等宽带隙化合物半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP、GaP、InAs、AIAs及其合金等化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。在宽禁带半导体中，SiC和ZnSe在相当长的一段时间内是研究和开发的重点，尽管SiC为间接带隙材料，其蓝色LED的发光亮度很低，但SiC蓝色LED在GaN蓝色LED实现商品化之前仍是唯一商品化的蓝色LED产品；而ZnSe材料由于实现了蓝色LED，更是成为世界各大公司和研究机构研究的焦点。GaN材料由于受到没有合适的单晶衬底、位错密度太大、n型本底浓度太高和无法实现P型掺杂等问题的困扰，发展十分缓慢。进入90年代之后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善， GaN基器件的发展十分迅速。目前已成为宽带隙半导体材料中的一颗十分耀眼的新星。[6]在红、绿、蓝三基色的发光二极管中，高亮度红色和绿色LED早已产业化，但在高亮度蓝色LED方面，SiC蓝色LED亮度仅为10~20 mcd，使用范围很窄；ZeSe虽有高亮度蓝色LED，但寿命短，未达到实用化的程度。自从1994年日本日亚公司在高亮度GaN基蓝色LED研究上取得重大突破后，世界各大公司和研究机构都在投入巨资加入到高亮度GaN基蓝色LED的开发中，极大地推动了高亮度蓝色LED的产业化进程。