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微波低噪声晶体管放大器是随着微波低噪声晶体管的生产和工艺技术的发展而发展的。
40年代末，最早的晶体管面世，因其体积小、重量轻、低耗电而迅速受到重视，不久便发展成固体电子元件的重要分支。60年代中期，出现了双极晶体管放大器，由于半导体材料和工艺的快速发展，很快地，场效应管成为实用的固体元件，于是出现了微波场效应管放大器。64187
60年代末，在工作频率和噪声性能的提高下，微波晶体管放大器代替了L和S 波段的行波管放大器。70年代中期，在C波段的低噪声行波管放大器也被微波晶体管放大器所取代，还产生了X波段的晶体管放大器。论文网
80年代末，出现了高电子迁移率晶体管，场效应管放大器的噪声系数更为降低。由于它结构简单、性能稳定、动态范围大、频带宽和成本低的特点，很多微波以及通信系统采用场效应晶体管研制低噪声放大器。
微波晶体管的发展方向是高频率、低噪声、大功率和高效率，在集成技术的不断提高下，微波混合集成电路和微波单片集成电路（MMIC）正在高速发展。在微波半导体电路集成化、模块化和性能进一步改善中，微波低噪声放大器新品不断研制和推广，其在军事和民用通信中的应用会越来越广。