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自20世纪90年代日本科学家Masuda[7]制备出高度有序的多孔氧化铝薄膜以来，多孔氧化铝薄膜作为模板被广泛地应用于纳米材料的制备。在利用模板法制备金属材料时，电沉积是一种有效的组装方法。传统的氧化铝模板是以超纯铝箔为原材料通过阳极氧化制备的，在利用电化学方法制备金属纳米材料时需要把氧化铝薄膜从铝箔上剥离，不仅操作过程复杂，而且得到的是分散的金属纳米材料。虽然可以用梯度降压的方法原位去除阻挡层，或者采用交流电沉积技术在存在薄阻挡层的铝基上制备金属纳米结构，但残余的铝基底极大地限制了这些纳米材料在纳米器件中的应用。为此人们开始探索在硬质的导电基底上直接制备氧化铝薄膜来生长具有支撑的金属纳米材料的阵列。64340
1999年，Crouse等人[8]成功的在硅基底上制备了超薄的氧化铝薄膜，孔径为25-250 nm，孔间距为50-300 nm，而且氧化铝薄膜的多孔形貌可以转移到硅基底上。随后，Crouse等人[9]又以Al/Ti/Pt/Si多层膜为基片，利用电压斜线上升的方法原位去除了生成的氧化物阻挡层，得到了与基底有良好电接触的硅基氧化铝薄膜，而且多种表征手段都显示阻挡层已完全去除。Das等人[10]系统地研究了在硅片上以及其他基底(如玻璃、导电玻璃、碳化硅等)上制备氧化铝薄膜的过程。论文网
2003年，O.Rabin等人[11]比较了以Al/Pt/Si、Al/Ti/Si为基片制备氧化薄膜为模板对电沉积镍纳米线的影响，结构表明以Ti为中间层的基片制备的镍纳米线比较均匀，而且Ti有效地改善了氧化铝模板和基片的粘结性问题。Kim等人[12]利用脉冲电沉积技术成功地在预沉积有Ti膜的硅片上制备了大面无支撑的Pd纳米线，直径约为80nm，高径比约为10。S.Wen和J.A.Szpunar[13]在预沉积一层Au的硅片上直流电沉积制备了高度有序的Ni纳米线。最近，有文献报道以Ta[14]、W[15]为过渡层来制备与基底有良好电接触的氧化铝模板，然后用以电沉积制备高度有序的Ni纳米棒/纳米线。
利用多孔氧化铝模板制备的一维纳米金属材料在电学、光学、磁学、场发射、传感器等领域得到了广泛地研究，在硬质基底上制备金属纳米材料使得该类纳米材料应用到微纳器件中成为可能。但是利用模板法制备的一维金属材料在复合含能材料中的研究极少，直接在硬质基底上的尚未见报道。以硅基氧化铝薄膜为模板，利用电沉积技术制备的一维金属纳米材料，如Ni等，结合真空镀膜技术制备出能发生自持反应的二元金属复合薄膜是一种新型的具有纳米结构的复合薄膜，在微纳含能器件的制造中有潜在的应用价值。