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    介质振荡器(Dielectric Resonator Oscillator,DRO)是一种应用较为广泛的振荡器，它是以各种有源器件与介质谐振器(DR)相互作用为基础的振荡器。DR具有介电常数高、体积小、Q值高、温度稳定性好等优点，可以很好的满足振荡器的需要。DRO不仅在温度稳定性、相位噪声上表现出较优异的性能，而且其输出频率也比较高，还易于调谐，尤其是在体积方面也有优势(较小)且价格还低，目前应用十分广泛。DRO的研究现状如下:64988

    (1)早在1974年，日本就研制出了介质稳频振荡器。

    (2)在20世纪80年代，DRO迎来了高速的发展，新产品不断被研制出来。

    1986年，G.Lan等人就已经研制出了具有高稳定度、超低相噪的FET DRO。同一年，K.K.Agarwal首次成功研制出了4GHz的异质结双极晶体管(HBT)介质振荡器。HBT是一种新型微波毫米波器件，它在很高频率时仍然具有较高的增益和较低的噪声。

    1989年，A.P. S.Khanna, E. Topacio研制出的3 6GHz介质振荡器的频率稳定度在-55℃一+85℃的温度范围内为lppm/0C，相位噪声-104dBc/Hz@ 100kHz 。

    (3)20世纪90年代后，微波CAD软件的普及以及有源器件非线性模型的不断完善使DRO的精确设计成为可能。

    1992年，U.Guttich, A.Gruhle与J.F.Luy首次报导的X波段的Si-SiGe HBT介质振荡器，其输出频率为9.6GHz，输出功率为 l0 mW，相位噪声为-85dBc/Hz@ 100kHz 。

    1994年，S.Chen和S.Tadayon等人研制出的46.3GHz AlGaAs/GaAs HBT介质振荡器，有源电路部分采用MMIC工艺，输出功率为2.6dBm，相位噪声在偏离载波5MHz处为-132dBc/Hz，这是当时所报导的最高频率的HBT介质振荡器。论文网

    1996年，Huei Wang等人第一次将InP HB T, MMIC技术应用于毫米波频率源的研制。并成功研制出了23.8GHz的InP HBT MMIC介质振荡器，其输出功率为5dBm，相位噪声达到-94dBc/Hz@ 100 kHz。在同一年，P.Maurin等人研制出了9.97GHz MMIC FET介质振荡器，其相位噪声为一105dBc/Hz@ l0kHz，这是在当时能得到的最低相噪MMIC FET介质振荡器。

    1998年，B . V Haaren等人研制出了4.7GHz的SiGe HBT介质振荡器，其相位噪声在偏离载波10 kHz处达到-13 5 dB c/Hz。这是当时在室温下使用陶瓷介质谐振器所获得的最好结果。同年由C.Broomfeild等人分别用BaTi03材料和蓝宝石研制的7.7GHz介质振荡器，它们的相位噪声分别达到了-140dBc/Hz@100kHZ和-130dBc/@l0kHz。

    1999年，U.Guttich,H.Shin等人合作研制出的K波段InP/InGaAs HBT介质振荡器。相位噪声分别达到一107.6dBc/Hz@ 100kHz、一105.7dBc/Hz@ 100kHz和一105.2dBc/Hz@ 100kHz 。与以前研制出的GaAs HBT/MESFET介质振荡器相比相位噪声有明显的改善。

    (4) 2000年后，随着各种新技术的不断涌现，对DRO的性能尤其是相噪和稳定度的要求也越来越高，小体积的DRO越来越受到欢迎。

    2006年，由Jean-Francois Gravel等人研制出的12GHz双推式介质振荡器，其相位噪声为:-105dBc/Hz@ l0kHz、-110dBc/Hz@ 100kHz和-125dBc/Hz@ 1MHz 。

    2007年，Karim W.Hamed等人采用SiGe-HBT技术设计了一种新型的工作于Ka频段的差分介质振荡器单片。同年，C.Florian等人设计制作的两种7.61 GHz GaInP HB T介质振荡器的相位噪声分别为-120dBc/Hz@ 10kHz和-135dBc/Hz@ l0kHz，它可以代表GaInPHBT介质振荡器的最新水平。

    2008年，中电13所宋红江、尹哲制作的Ku波段取样锁相介质振荡器[[1s]，其输出频率为17GHz，相位噪声为:-103 dBC/Hz@ 1kHz，-107dBc/Hz@ l0kHz，-110dBc/Hz@ 100kHz 。

    2009年电子科技大学的刘伟使用ATF-26884的振荡管，设计制作出了一个频率为9.3 GHz，输出功率为7.2dBm的并联反馈型DRO，相位噪声为-97dB c/Hz@ 10kHz ,-102dBc/Hz@ 100kHz。

    2010年电子科技大学的吴大鹏、范洪波和靳军分别研制出了12GHz的取样锁相介质振荡器, 10GHz点频低相位噪声介质振荡器和Ku波段的Push-Push式介质振荡器。

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