总之，我们预测一种新的二维材料，TiS3单层片，是一种与期望相符的具有大约1eV的直接带隙半导体。所述TiS3单层的电子迁移率是显性的，具有高度各向异性。更具体地，沿着b方向的电子迁移率高达 ，展现出TiS3单层在未来的纳米电子学应用方面具有的强大吸引力，因为它的流动性明显比MoS2单层更高。对于TiS3计算得出的理想裂解凝聚能量为约 ，其值小于石墨，表示2D TiS3单层的隔离可通过任何一种液体剥离或机械裂解技术来实现，就像2D石墨烯或二硫化钼片的隔离。最后，TiS3的活力和热稳定性都通过声子谱和分子动力学模拟证实。因此，我们预计，2D TiS3单层和电子性能的测量制作将很快实现。