近年来，ZnO材料的研究越来越受到人们的重视，作为一种新型半导体材料，ZnO在各领域的应用正逐渐兴起，在不久的将来将会对人们的生产生活产生重要影响。

1国内研究

ZnO薄膜在发光领域的应用研究得到了广泛的重视，浙江大学季振国等人在石英玻璃衬底上制备出C轴择优生长取向的Zn O薄膜，中科大在ZnO外延层和衬底上生长Zn缓冲层，获得了择优取向的ZnO薄膜，山东大学制备出的ZnO薄膜具有快速紫外光响应的六角密排结构的特点[2]。ZnO薄膜在紫外发光方面的研究已经成为十分受到重视的课题之一。 43470

2国外研究

早在二十世纪六十年代，人们就发现了ZnO材料具有紫外受激辐射的现象，到了20世纪90年代，ZnO微晶薄膜获得了紫外激光的输出，ZnO材料又重新凝聚了人们的视线。1997年，美国《科学》杂志发表了一篇关于ZnO材料的文章，题为“Will UV Laser Beat the Blues？”，其主要讲述ZnO薄膜紫外发光发射研究的重要性，并已经成为一项伟大的工程。21世纪初，D.M.Bagnall和Z.Zu等人率先报道了通过分子束外延法（MBE）制备的ZnO薄膜的室温光泵紫外发射现象，这项研究为ZnO半导体短波光电材料与器件研究的打下坚实的基础，是半导体短波光电材料与器件研究的新一座里程碑[3]。 同时他们对ZnO薄膜的光致发光特性，特别是激发光发射行为这一方面进行了十分详细的研究，其中包括自形成Fabricy-Perot微腔效应观察。

3发展趋势

ZnO因为其良好的性质使其在氧化物中有着独树一帜的地位，其强烈的紫外吸收和紫外激光发射、量子限域效应、光催化和压电等特性都是优于其他氧化物材料的地方。ZnO薄膜还具有原料价格低廉，生长温度相对较低，成膜质量高，容易实现掺杂等优点，是如今应用较为广泛的透明导电薄膜-751!文`论~文-网www.751com.cn。20世纪末人们研究发现了ZnO薄膜的紫外受激发射的特性，在室温条件下观测到的具有纳米结构的微晶薄膜光泵激光发射，因其激子结合能比其他宽禁带材料的要高出许多，可以能够适合在室温或更高温度中工作，且制备需要要求的温度比GaN和其他II-VI族半导体宽禁带材料的制备温度要低很多，从而大大降低了薄膜与衬底原子的相互扩散[4]。ZnO薄膜在可见光范围内的透过率高达90%，其应用在优质的太阳能电池和透明电极等方面。而ZnO薄膜在紫外和红外光谱范围内的强烈的吸收作用，可做为相应光谱区的阻挡层。目前，ZnO薄膜已经投入于表面声波器件和压电传感器领域的应用，具有十分广泛的应用前景，且随电阻率变化的气敏元件正在被研发当中，假以时日，必将实现从实验室研究向大生产的转化。然而我们知道对于ZnO材料的研究针对p型材料的研究一直是研究ZnO性能的短板，绝大部分都是针对n型ZnO材料的,这主要原因是因为ZnO 半导体材料存在高度自补偿作用，较难实现p 型转变。但是为了充分发挥ZnO 材料光电器件在实际应用上的作用，不得不去攻克材料研究中对于p型材料的研究所遇到的困难,因此近几年加大了对P型材料的研究论文网，其研究结果也正逐步升温。 此外，ZnO薄膜的紫外受激发光等新特性也正加入专家们的研究方向，也随着ZnO其他新性能逐渐被发现，必将带来ZnO 材料研究的新课题。