1989年，Motohiro等发现在倾斜沉积时保持基片静止得到的倾斜柱状结构薄膜具有双折射效应，利用该特性可以制得有双折射效应的薄膜型波片，这项技术于1999年达到了工业应用的标准。1994年，随着雕塑薄膜概念形成，大角度倾斜沉积制备技术得到迅速发展。基片旋转方式的多样性赋予了雕塑薄膜形貌的多样性。7966
1999年，M．Malac等[12]通过在基片上引入周期性预结构制备出具有周期性结构的雕塑薄膜，使得倾斜沉积法成为制备光子晶体的一种有效方法。这是雕塑薄膜研究的一项突破性工作，之后雕塑薄膜的很多制备工作都是在预结构的基片上进行的。2005年，Ye等[13]提出了用倾斜沉积法制备大面积均匀性硅纳米结构的改进方案。随后出现了多层结构多种材料复合的雕塑薄膜的研制。2005年，A．Lakhtalda等[14]在制备多层周期性雕塑薄膜中引入了缺陷态，指出这种新型雕塑薄膜可以实现对光子晶体的禁带控制。2008年，C．M．Zhou等[15]用双电子束在周期性751方阵列的SiO2小球上同时倾斜沉积硅和铋，成功制备了混合材料的周期性纳米柱阵列。
近年来，国内也开始了许多有关雕塑薄膜的研究工作。上海光机所的研究小组[16-18]用倾斜沉积法制备了不同材料、不同类型的雕塑薄膜并研究了它们的双折射效应和低折射率性质，比如位相延迟、宽带减反射膜和梯度折射率滤光片等薄膜元件。武汉大学的Su等[19]采用倾斜沉积技术制备了SiO2-Au的纳米晶柱薄膜并研究了其多光子诱导荧光现象。中科院高能物理所Wang等[20]研究了在倾斜沉积同时对基片高温加热的锡薄膜的生长情况，他们发现锡在高温下会再结晶且晶柱的方向也会发生改变。
另外，中山大学的研究小组[21]通过改变气流入射角度、基片旋转速率等参数研究了雕塑薄膜微观结构对工艺参数的响应并制备了斜柱状、zigzag状以及螺旋状的雕塑薄膜。对于螺旋状雕塑薄膜，低的沉积速率与基片旋转速率之比有利于螺旋的形成，速率比越高时，螺距越大。当速率比足够高时，原子受到的阴影效应是各向同性的，从而会形成垂直于基片表面生长的各向同性的柱状结构。 倾斜沉积技术国内外研究现状:http://www.751com.cn/yanjiu/lunwen_6128.html