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DS1302时钟+AT89C51单片机的电子万年历设计+电路图(2)

时间:2020-07-27 21:42来源:毕业论文
AT89C51是一种高性能的微处理器,具有4K字节闪烁可擦除可编程只读存储器。该器件是由ATMEL高密度的不易失存储器制造技术制作,其指令集和输出管脚与工

AT89C51是一种高性能的微处理器,具有4K字节闪烁可擦除可编程只读存储器。该器件是由ATMEL高密度的不易失存储器制造技术制作,其指令集和输出管脚与工业标准的MCS-51相兼容。鉴于其将多功能闪烁存储器和8位CPU结合在单个芯片中,ATMEL的AT89C51是一种较高效的微控制器。该单片机就是此次设计的主要部分[1]。

该单片机的主要特性有:锁定的三级程序存储器,与MCS-51管脚相兼容 ,共有5个中断源 ,可编程闪烁存储器内存为4K字节, 1000次的写/擦循环,两个16位定时器/计数器,全静态工作:0Hz-24Hz,低功耗的闲置和掉电模式,128*8位内部RAM,32可编程I/O线,可编程串行通道,片内振荡器和时钟电路。

AT89C51单片机的引脚说明

脚VCC 供电电压;

脚GND 接地; 

P0口 : P0口是一组双向8位漏级开路型I/O口,也可以被定义为地址/数据总线复用口。当对P1口的管脚写1时,可被定义为高阻抗输入。P0能够用于外部程序数据存储器,当程序存储器或外部数据存储器被访问时,它可以被转换为数据/地址的低八位使用,内部上拉电阻在访问期间可被激活。在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH进行程序校验时,要想P0输出原码,此时P0外部必须接上拉电阻;

P1口 : P1口是一个内部带上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能驱动(吸收或输出电流)4个TTL门电流。对P1口端口写入1后,可被内部上拉电阻拉为高电平作为输入口使用,当P1口被外部下拉信号下拉为低电平时,将输出电流,这是由于它内部具有上拉电阻的缘故。在FLASH进行编程和程序校验期间,P1口可接收低8位地址;

P2口 : P2口是一个8位双向I/O口其内部也带有上拉电阻,P2口缓冲器也可以驱动(吸收或输出电流)4个TTL门电流,当对P2端口写“1”时,内部上拉电阻可将管脚拉为高电平,此时作为输入端口使用。当作为输入时,如果P2口的管脚被外部信号拉低,此时将输出电流,这是因为存在内部上拉的原因。在对外部数据存储器的16位地址进行存取时,地址的高八位数据将被输出。在访问外部数据存储器的8位地址时,P2端口线上的数据在整个访问期间不发生变动。P2口在FLASH编程和程序校验时接收地址信号的高八位和其他控制信号;

P3口 : P3口管脚是一组8个双向带内部上拉电阻的I/O口,可驱动4个TTL门电流。当P3口写入“1”后,将被内部上拉电阻拉为高电平,并作为输入端口。当作为输入端口时,如果外部存在低电平信号,P3口将输出电流(ILL)这是由于内部上拉的缘故;

P3 口还有更重要的第二功能,如下表1所示:

端口引脚 第二功能

P3.0 RXD(串行输入口)

P3.1 TXD(串行输出口)

P3.2 INT0(---------------)(外中断 0)

P3.3 INT1(---------------)(外中断 1)

P3.4 T0(定时/计数器 0 外部输入)

P3.5 T1(定时/计数器 1 外部输入)

P3.6 WR(----------)(外部数据存储器写选通)

P3.7 RD(----------)(外部数据存储器读选通)

表1 P3口第二功能

RST : 复位输入。当器件被振荡器复位时,要确保RST脚高电平时间为两个机器周期以上;

ALE/PROG(--------) :当访问外部存储器时,地址锁存输出的电平则用来锁存地址的低8位字节。在FLASH编程期间,这个引脚可被用来输入编程脉冲。在不访问外部存储时,ALE端以恒定振荡器频率的1/6输出固定的正脉冲信号。因此它可以用来定时或对外部输出时钟。然而要注意的是如果跳过一个ALE脉冲,可用作外部数据存储器。如想禁止ALE的操作可在SFR的8EH地址即DO上置0。此时, ALE只能执行MOVX,MOVC指令。如果微处理器在执行外部程序时,对它的置位是无效的; DS1302时钟+AT89C51单片机的电子万年历设计+电路图(2):http://www.751com.cn/zidonghua/lunwen_56996.html

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