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石墨烯量子点的制备及其性质研究(3)

时间:2020-07-01 21:38来源:毕业论文
1.3.4.3 膜层的处理源`自751.文/论:文网,www.751com.cn 取20 L制备好的石墨烯量子点于ITO导电面,铺满2/3左右,烘箱烘干后再次用20 L铺满2/3,烘箱烘干后,再铺

1.3.4.3 膜层的处理源`自·751.文/论:文'网,www.751com.cn

取20 μL制备好的石墨烯量子点于ITO导电面,铺满2/3左右,烘箱烘干后再次用20 μL铺满2/3,烘箱烘干后,再铺5 μL 0.05%Nifon乙醇溶液进行保护。

1.3.4.4 i-t模式光电测量

在遮挡条件下开始测量,初始测量电位为0.6 V,待软件的光电流趋于平稳时,撤下挡板。每次光照照射时间20 s,遮挡时间30 s,电脑记录数据。

1.4不同时间制备的石墨烯量子点的紫外和荧光性质

改变制备时间分别为7 min、12 min、15 min、17 min、20 min、30 min,根据1.2的方法,制备GQDs,并对其进行紫外、荧光表征,对比研究对GQDs性质的影响。

1.5荧光探针法测定六价铬离子

分别配制浓度约为10 mg/L,20 mg/L,30 mg/L,40 mg/L,50 mg/L,60 mg/L,70 mg/L,80 mg/L的六价铬离子溶液,以制得的GQDs或N-GQDs作为荧光探针,根据1.3.3方法依次进行荧光测定,绘制拟合直线,得到线性拟合方程。

石墨烯量子点的制备及其性质研究(3):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_55647.html
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