Analog Devices公司从1989年即开始对电容加速度计进行了研究，并且在1993年推出以干法刻蚀技术制作而成的加速度计ADXL50；AD公司并于1998年推出双轴系列，该公司又进而在2005年首次成功地推出了三轴加速度计——ADXL330，如下图1.1所示为该公司的加速度计产品。而始于20世纪末对MEMS加速度计开始进行研制的Silicon Design公司，它生产的三轴加速度计大多都是由3个正交分布的单轴加速度计组成，并且用电镀铝制的外壳将其密封。其不同型号的产品的灵敏度可以达到20mV/g，它的测量范围由±2g~±200g，并且能够抗住达到2000g的冲击。
 
图1.1  AD公司生产的加速度计
瑞典的IMEGO研究所研制了一种新型三轴MEMS加速度计，其敏感结构是由单倾斜梁支撑的质量块并且以多质量块布置形式检测电容，以湿法腐蚀工艺制作而成。其频率范围在 之间，具有 的灵敏度。但其可靠性以及检测精度会因为采用单倾斜梁支撑形式而受到一定的影响。
德国公司Robert Bosch在2007年成功研制了一种测量范围在 内的三轴的微机械加速度计—SMB380。它是以深反应离子刻蚀工艺制作而成并且以梳齿式电容检测方式来进行检测。SMB380侧壁的表面质量比较高而且深宽比高的结构比较多。
基于差分电容检测方式以及三层体硅加工技术，瑞士的Colibrys公司成功研制了高性能的MEMS加速度计，并且该产品广泛地应用在了武器装备中。Colibrys公司为了更进一步地提高其灵敏度，研发出了如下图1.2所示的Si-Flex TM系列MEMS加速度计产品。 加速度计初始校准方法分析+文献综述(3):http://www.751com.cn/jixie/lunwen_15926.html