4H-SiC晶体中Shockley层错的TEM观察(5)

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2SiC(S) →Si2C(V) + C(S) 1-(1)

2SiC(S) →SiC2 (V) + Si(V) 1-(2)

C(S) + 2Si(V) →Si2C(V) 1-(3)

2C(S) + Si (V) →SiC2 (V) 1-(4)

根据气体自由程与腔内压力成反比的关系，生长过程中通入Ar 气，可以控制反应速度。在生长初期，为了防止其他多型的生长，或是防止杂乱生长，加大Ar 气量，可以抑制生长。现在通常的生长温度为2000 ℃至2400 ℃。生长速率通常随温度升高而增加如图1-3[12]，随料源与籽晶间的温度梯度加大而增大，随外加惰性气体气压加大而减小。温度梯度过小会导致生长速率太低，过大会造成晶体开裂且质量不高