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32位RISC性能处理器；
32位ARM Cortex-M3结构优化；
72 MHZ运行频率，单周期访问时速度可达1.25 DMIPS/MHz；
硬件除法和单周期乘法；
快速可嵌套中断，6~12个时钟周期；
具有MPU保护设定访问规则；
片内具有256KB FLASH，48KB RAM；
80个快速I/O端口，16个I/O可映射到外部中断，几乎所有的I/O可以忍受5V电压；
片上集成12Bit A/D、D/A、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源；
ARM Cortex-M3是一种基于ARM7v架构的最新ARM嵌入式内核，它采用哈佛结构，使用分离的指令和数据总线(冯诺伊曼结构下，数据和指令共用一条总线)。从本质上来说，哈佛结构在物理上更为复杂，但是处理速度明显加快。根据摩尔定理，复杂性并不是一件非常重要的事，而吞吐量的增加却极具价值。
除了使用哈佛结构，Cortex-M3还具有其它显著的优点：具有更小的基础内核，价格更低，速度更快。与内核集成在一起的是一些系统外设，如中断控制器、总线矩阵、调试功能模块，而这些外设通常都是由芯片制造商增加的。
Cortex-M3还集成了睡眠模式和可选的完整的八区域存储器保护单元，只支持最新的Thumb-2指令集，最大限度降低了汇编器使用率。Cortex-M3这样设计的优势在于：
免去Thumb和ARM代码的互相切换，对于早期的处理器来说，这种状态切换会降低性能。
Thumb-2指令集的设计是专门面向C语言的，且包括If/Then结构(预测接下来的四条语句的条件执行)、硬件除法以及本地位域操作。
Thumb-2指令集允许用户在C代码层面文护和修改应用程序，C代码部分非常易于重用。
Thumb-2指令集也包含了调用汇编代码的功能：Luminary公司认为没有必要使用任何汇编语言。
综合以上这些优势，新产品的开发将更易于实现，上市时间也大为缩短。STM32F103VET6的资源完全满足此次的嵌入式多功能数码相框设计，通过设计电路开发一个支持TFT彩色液晶屏的驱动电路，在设计中搭配2.4寸TFT真彩触摸屏模块作为显示界面，同时可以通过按键的切换进行MP3的播放，也支持一个SD卡（SPI方式）可用于存储图片、数据等。
2.2.2 LCD模块
Thin Film Transistor(薄膜场效应晶体管)，是指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息,TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）是多数液晶显示器的一种。TFT屏幕的优点如下：
大面积。九十年代初第一代大面积玻璃基板（300mm×400mm）TFT-LCD生产线投产，到2000年上半年玻璃基板的面积已经扩大到了680mm×880mm），最近950mm×1200mm的玻璃基板也将投入运行。
高集成度。用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率为XGA含有百万个象素。分辨率为SXGA（1280×1024）的16.1英寸的TFT阵列非晶体硅的膜厚只有50nm，以及TAB ON GLASS和SYSTEM ON GLASS技术，其IC的集成度，对设备和供应技术的要求，技术难度都超过传统的LSI。
功能强大。TFT最早作为矩阵选址电路改善了液晶的光阀特性。对于高分辨率显示器，通过0-6V范围的电压调节（其典型值0.2到4V），实现了对象元的精确控制，从而使LCD实现高质量的高分辨率显示成为可能。TFT-LCD是人类历史上第一种在显示质量上超过CRT的平板显示器。现在人们开始把驱动IC集成到玻璃基板上，整个TFT的功能将更强大，这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。
低成本。玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为大规模半导体集成电路的应用开拓了广阔的应用空间。
工艺灵活。除了采用溅射、CVD（化学气相沉积）MCVD（分子化学气相沉积）等传统工艺成膜以外，激光退火技术也开始应用，既可以制作非晶膜、多晶膜，也可以制造单晶膜。不仅可以制作硅膜，也可以制作其他的Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜。
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