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1.4 纳米结构ZnCuO铁磁性能的研究意义
对于ZnO纳米材料的可控生长虽然已有了大量的研究，人们也可以通过电化学沉积法、、化学气相沉积法、水热法、化学气相传输法等方法制备出形貌各异的ZnO纳米材料，但如何精准控制掺杂量、控制掺杂剂在晶格中的分布，掺杂元素再劲歌中的固溶度如何提高等问题仍然是人们经常所遇到的。
Cu掺杂ZnO具有独特的性质，其体现在电学、磁学、光学等方面，经过人们大量的研究与精算得出这是一种值得被广泛研究的材料，具有良好的应用潜力。研究报道表明Cu掺杂ZnO纳米材料是一种具有潜力的稀磁半导体，多铁性也被Cu掺杂ZnO的高阻薄膜测试中发现，这对于稀磁半导体磁性的来源以及其应用问题仍未得到统一结论有不错的帮助，除此之外Cu这种元素被认为是可以完成在ZnO的p型掺杂，虽然后来Cu在ZnO中引入的多半是较难电离的深受主能级及施主能级也被人们所挖掘，对此较难形成有效的p型掺杂，但是人们通过实验发现Cu掺杂的ZnO确实能够表现出p型导电。
2 测量纳米结构ZnCuO薄膜的各种性能
2.1 纳米结构ZnCuO薄膜结构测试的原理
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对ZnO薄膜形貌和微结构的影响。结果表明,制备得到的ZnO薄膜具有应变小和c轴择优取向。室温下测量了样品Zn1-xCuxO的光致发光(PL)谱,发现所有样品的PL谱中均观察到435nm左右的蓝光发光带,发光带强度与Cu的掺杂量有关;当x=0.06时,Zn1-xCuxO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光发射。分析了掺杂量对发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁,它们可通过改变Cu的掺杂量予以控制。