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国外GaAs光电阴极性能现状近几年来，NEA GaAs光电阴极的迅速发展使得研究者们对微光夜视领域的研究重点转移到了对三代微光像增强器的研究上来，就世界范围的角度而言，美国的光电阴极的制造工艺和器件性能依然领先于世界上的其他国家。就全世界水平而言，美国的ITT公司以及美国的Litton公司研发生产的三代微光夜视器件的性能和制备技术最为先进，因此本文中收集了两家公司最近研发的三代微光像增强器件中的GaAs光电阴极的光谱响应特征参数，如表1.1所示。由表格可以看出：这两种光电阴极的灵敏度都比较高，且响应光波波长范围比较宽广。尤其是ITT公司生产的光电阴极的响应峰值比较高，且峰值对应的入射光波长也比较长，因此是优良的微光夜视器件的电子发射源。28575
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表1.1 美国两家公司的GaAs光电阴极光谱响应特性参数比较
起始波长
（nm） 截止波长
（nm） 截止波长
（nm） 峰值位置
（nm） 积分灵敏度
（μA/lm）
美国ITT 440 915 277.7 840 2330
美国
Litton 450 910 242.5 800 2045
除美国之外，世界上其他国家比如俄罗斯、英国在此方面最近几年也取得了明显的进步，目前也都具备有比较高的工艺水平，目前研发成功且开始大规模投入生产制备的三代微光像增强器的积分灵敏度值达到了1200 µA/lm，实验室测得的像增强器的最高的积分灵敏度值也达到了1800~2400 µA/lm[5]，寿命约为7500小时甚至更加持久。论文网
2 国内GaAs光电阴极性能现状
我们国家对于负电子亲和势 GaAs光电阴极的学习研究开始于二十世纪七十年代左右，参与负电子亲和势 GaAs光电阴极开发研究的单位主要有：中科院西安光机所、中科院物理研究所、南京理工大学、西安205所、南京55所等高校和研究单位，其中中国科学院西安光机所在1976年已经自主开发研发制备成功了国内第一个透射式NEA GaAs光电阴极，又于1998年又成功开发制备出灵敏度达110 μA/lm的带MCP的单铟封三代像增强器，又于2000年成功开发制备了透射式GaAs光电阴极组件并成功地制造了积分灵敏度达到300 µA/lm的三代微光像增强器[6]。
虽然我国对于GaAs NEA光电阴极的开发制备水平截止到目前取得了明显长足进步，但是与国外的先进技术相比较依然存在有着比较明显的差距。问题主要表现在以下方面：我国生产的光电阴极的质量与先进国家生产的器件相比存在着差距；我国的光电阴极的各项性能指标不如国外的器件优良；光电阴极的制备工艺还不如国外的先进。