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一直以来，低噪声放大器的研究都是通信领域科研工作者的重要关注对象，近年来更是得到了很快的发展，相关的成果也非常多。早年的低噪放主要依靠的是参量放大管，受激辐射晶体管还有双极性晶体管，这些晶体管都是二端口器件，后来，随着效应管，高频电子迁移晶体管等一系列三段元件的出现，使得低噪放的性能也变的越来越好[2]。18988
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在20世纪60年代，当时雪崩二极管是微波领域应用比较广泛的器件，雪崩二极管放大器逐渐推广开来。除了雪崩二极管，转移电子器件耿氏二极管也收到了人们的关注。与雪崩二极管相比，耿氏二极管具有比较小的噪声系数，瞬时带宽比较大，因此在低噪放中应用较广。60年代中期，微波双极性晶体管（BJT管）和微波场效应晶体管（FET管）逐渐走入人们的视线。BJT管利用的是少数载流子工作，由于少数载流子的各种因素（包括载流子浓度，载流子的扩散速度以及迁移率等）对于受环境的影响非常大，所以它的噪声性能不可能做到很好。与BJT管不同，FET管采用的是多数载流子工作，载流子的飘移速度快，因而受环境影响比较小，噪声性能与BJT相比要好[3]。论文网
在70年代，出现了GaAs晶体管，此后低噪声放大器的制作一直使用的是GaAs管。到了80年代早期，低噪声放大器在噪声系数方面取得了很大的进展，但是在小型化方面还没有取得突破，大部分低噪放占用空间大，这很难满足卫星通信当中对于LNA的低噪声，小型化，重量轻的全面要求。此后科研工作者研制了许多新的半导体材料。其中比较著名的有砷化镓场效应晶体管（GaAsFET），高电子迁移率晶体管（HEMT）。尤其是HEMT，在它问世以后，一直被认为是最适合微波电路的低噪声放大器件之一。它制作的低噪放噪声系数能达到1.7dB，增益7.7dB。HEMT作为当下最好的低噪放器件，它被广泛的应用于雷达通信，卫星接收机，现代通信系统当中。此后微波混合集成电路MIC的出现使得低噪声放大器的噪声系数可以达到1.6dB，增益达到16dB之多。
90年代由于晶体管技术取得了巨大的进展，微波领域的单片混合集成微波电路MMIC逐渐进军科技界，单片集成微波低噪放也迅速得到了发展，它采用MMIC技术，将晶体管的匹配电路和偏置电路加以封装，具有很高的集成度，在设计时只用加入简单的外围电路，MMIC LNA兼具了小型化和高性能的特征[4]。
目前，国内外公司提供了各式各样的LNA产品，与国外相比，国内产品性能仍有待提高，表1-1和表1-2给出了国外和国内典型的低噪放产品。
表1-1 国外低噪放实例
型号 带宽（GHz） 噪声系数（dB） 增益（dB） 驻波比 工作电流（mA）
HMC-C405 1.8-4.2 0.7 26 2:1 112@8V
AMF-3F-0100040 1-4 0.8 35 2;1 150@15V
AN12201N 1.2-1.8 1.7 31 2:1 180@12v
DB1-0102N305 0.5-2.0 1.0 28 2:1.8 125@12V
WEA105 1-2 1.0 33 1.4:1 40@5V
表1-2 国内低噪放实例
型号 带宽
（GHz） 噪声系数
（dB） 增益
（dB） 驻波比
（dB） 工作电流
（mA）
LNA1114L30 1.1-1.4 0.9 30 2.0:1.8 120@5V