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2004年，Xu等人采用基于VLS机制的化学气相沉积法制备了Cu掺杂的ZnO纳米材料，他们以Cu作为催化剂生长ZnO，在ZnO生长的过程中Cu被掺入到晶格中，之后他们采用PL及PLE技术研究了所获材料的光学性能，发现Cu取代Zn后，会在在导带下约0.17eV处引入一个施主能级，同时在价带上约0.45eV处形成受主能级，Qiu等人通过理论计算与高分辨能量损失谱研究了Cu在ZnO单晶中所形成的能级状态，发现Cu在ZnO中以三种不同的形式存在，会引入一个处于导带下88meV的浅施主能级以及一个深受主能级，然而通过实验研究，人们发现Cu掺杂ZnO材料确实可以实现p型导电，如前面所提到的Selim通过一种核转变的方法将Cu掺入ZnO中，并用红外线光谱证实了Cu确实被掺入到ZnO晶格位置，并且预测Cu可以大大降低背景电子浓度，实现p型掺杂，以及前面也曾提到的Pan等报道的通过S与Cu元素的共掺使得Cu在ZnO中从一个深受主变为浅受主，实现了ZnO的p型掺杂，且具有较高的空穴浓度，此外，2008年，Kim等提供了更加有力的实验证据，他们采用等离子体辅助分子束外延的方法制备了Cu掺杂ZnO的p型层，并将其与n型的H：SiC材料制备了异质结LED，实现了蓝紫光的发射，并且指出其样品2.43eV与2.54eV处的蓝、绿两个发射峰，可能分别对应于晶格中的Cu+与Cu2+，但也可能是由于氧空位Vo与锌空位Vzn之间的吸收跃迁引起的。41193
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Cu对研究ZnO体系的磁学性能来说意义重大，因为Cu以及Cu基的化合物CuO,Cu2O都是不具有铁磁性的，因此其对研究ZnO体系铁磁性的来源不会产生干扰，相反，许多学者认为在Co及Mn掺杂的ZnO体系中其表现的铁磁性可能是由Co或Mn的第二相偏析有关。论文网
参考文献
[1] Dietl, T.; Ohno, H.; Matsukura, F.; Cibert, J.; Ferrand, D. Science 2000, 287, 1019.
[2] Sato, K.; Katayama-Yoshida, H. Semicond. Sci. Technol. 2002, 17, 367.
[3] Lee, H. J.; Jeong, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4020.
[4] Karmakar, D.; Mandal, S. K.; Kadam, R. M.; Paulose, P. L.; Rajarajan, A. K.; Nath, T. K.; Das, A. K.; Dasgupta, I.; Das, G. P. Phys.Rev.B 2007,75,144404
[5] Sharma, P.; Gupta, A.; Rao, K. V.; Owens, F. J.; Sharma, R.;Ahuja,R.;Guillen,J.M.;Johansson,B,;Gehring,G.A.Nat.Mater.2003,2,673.
[6] Lin, X. X.; Zhu, Y. F.; Shen, W. Z. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 1812.
[7] Buchholz, D. B.; Chang, R. P. H.; Song, J. H.; Ketterson, J. B.Appl.Phys.Lett.2005,87,082504
[8] Wei, M.; Braddon, N.; Zhi, D.; Midgley, P. A.; Chen, S. K.; Blamire, M. G.; MacManus-Driscoll, J. L. Appl. Phys. Lett. 2005,86,072514.
[9] Ye, L. H.; Freeman, A. J.; Delley, B. Phys. Rev. B 2006, 73,033203.
[10] Ahn, K. S.; Deutsch, T.; Yan, Y.; Jiang, C. S.; Perkins, C. L.; Turner, J.; Al-Jassim, M. J.Appl.Phys.2007,102,023517.
[11] Hou, D. L.; Ye, X. J.; Zhao, X. Y.; Meng, H. J.; Zhou, H. J.; Li, X. L.; Zhen, C. M. J. Appl. Phys. 2007, 102, 033905.
[12] Li, X. L.; Xu, X. H.; Quan, Z. Y.; Guo, J. F.; Wu, H. S.; Gehring, G. A. J. Appl. Phys. 2009, 105, 103914.
[13] Xu, Q.; Schmidt, H.; Zhou, S.; Potzger, K.; Helm, M.; Hochmuth, H.; Lorenz, M.; Setzer, A.; Esquinazi, P.; Meinecke, C.; Grundmann, M. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 082508.
[14] Herng, T. S.; Lau, S. P.; Yu, S. F.; Yang, H. Y.; Wang, L.; Tanemura, M.; Chen, J. S.Appl.Phys.Lett.2007,90,032509.
[15] Herng, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 032509. S.; Yasui, N.; Inaba, H. J. Appl. Phys. 2006, 99, 086101.
[16] Lee, H. J.; Kim, B. S.; Cho, C. R.; Jeong, S. Y. Phys. Status Solidi B 2004, 241,1533.
[17] Xu, C.; Yang, K.; Huang, L.; Wang, H. J. Chem. Phys. 2009, 130,124711.