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随着现代科技的发展以及市场的需要，T／R组件也在向高性能、低成本、小型化、高频化等方面发展，尤其在军品行业表现尤为突出。当前的收发器设计通常采用双极工艺和BiCMOS工艺制造低噪声放大器、 混频器和压控振荡器；采用砷化镓(GaAs)或双极工艺制造功率放大器；采用CMOS 工艺制造基带信号处理芯片。目前，在印刷电路板（PCB）上还在大量地使用薄膜技术或分立形式的无源元件。为了增加集成度，不同的电路模块和元件采用同一种工艺，制作在相同的衬底上。随着工艺的进步，CMOS 工艺晶体管的截止频率（ ）变得越来越高。与GaAs工艺相比， CMOS工艺在价格、 功耗方面都占有显著的优势。 可以同时在CMOS工艺中集成模拟和数字电路，因此可以实现更高程度的集成。 这使 CMOS 集成电路在较低 GHz 频率范围的应用日益广泛。业界的目标是使得所有的收发器部分，无论是数字还是模拟、 射频都采用标准 CMOS 工艺实现。59619
1.3GHzT/R组件目前技术实现主要是接收通道，把射频信号下变频到零中频或低中频信号，再对零中频或中频信号进行处理。发射通道，则把中频信号上变频到L波段，再通过功率放大发射出去
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