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已经有研究表明，短时间的退火能显著提高合金的物理性能。但NiMnX的薄膜仍处于起步阶段。刘超等人对Ar工作压强对NiMnGa薄膜成分影响的研究发现，Ar工作压强升高可以使得薄膜的价电子浓度升高，并且影响薄膜的化学成分，另外，调节Ar工作气压可以调整马氏体相变温度，使得薄膜马氏体相变温度高于或者低于室温，为其应用了打下一定的基础[20]；陈峰华等人通过射频磁控溅射功率对NiMnGa薄膜成分形貌影响的研究发现，溅射功率较小时，晶粒都比较小，大小较为均匀，随着溅射功率的升高，晶粒有长大的趋势，因此，薄膜表面平均颗粒尺寸随着溅射功率的增大而增大，另外，通过对薄膜价电子浓度的分析发现，价电子浓度亦会随着溅射功率的改变而改变，从而影响晶体结构[21]；高来勖等人通过直流磁控溅射NiMnGa磁驱动记忆合金薄膜的XPS研究发现，氧杂质的引入将导致马氏体相中 Mn 含量的降低, 对 Mn 的磁矩和磁感生应变以及力学性能造成一定的影响[22]。60606
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