- 上一篇：虚拟仪器的射频一致性测试国内外研究现状
- 下一篇：毫米波主被动复合探测器的研究现状及发展趋势
国外产品情况国外宽带产品种类比较多，比较有代表性的宽带开关产品如图I．3所示，下面介绍几种典型产品：
Hittite公司的HMC347吸收式单刀双掷开关芯片，DC-20GHz频率范围内插入损耗1. 6dB，隔离度40dB，输入输出电压驻波比2：1；
Bookham 公司的P35—4233反射式单刀三掷开关芯片，DC-18GHz插入损耗2.2dB,隔离度55dB；
Triquent TGS8250-SCC反射式单刀双掷开关芯片，DC-18GHz插入损耗2dB，隔离度39dB；66370
Agilent HMMC2027吸收式单刀双掷开关芯片，Dc-26.5GHz插入损耗2.2dB，隔离度30dB。
国外部分GaAs MMIC宽带开关产品
2 国内产品情况
国内GaAs MMIC相关研究工作主要由河北半导体研究所和南京电子器件研究所承担．近年来国产GaAs MMIC发展相当迅速，开关、移相器、衰减器、低噪声放大器、混频器、VCO、功率放大器等产品逐渐系列化、规模化。GaAs MMIC宽带开关由河北半导体研究所和南京电子器件研究所在半导体情报和固体电子学研究与进展杂志分别报道过。图1. 4是河北半导体研究所的一款宽带单刀双掷开关照片。图1.5足南京电子器件研究所的一款宽带单刀双掷开关照片。
参考文献
[1]Ian Robertson and Stepan Lucyszyn．RFIC＆MMIC design and technology[M]．London；The Institution of Electrical Engineers，2001．2-4．
[2]戴永胜，陈堂胜，岑元飞等高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关[J]，固体电子学研究与进展，2000年5月，20(2)，．
[3]AYASLI，Y．Microwave switching with GaAs FETs[J]，Microwave Journal，1992，61-74．
[4]ERON，M．Small and large signal analysis of MESFETs as switches[J]，Microwave Journal，1992，128—140．
[5]Devlin，L．The design of integrated switches and phase shifters，Design of RFICs and MMICs(Ref．No．1999／158)[J]，IEE Tutorial Colloquium，1999Nov．，2／I一2／14
[6]谢媛嫒 高学邦 魏洪涛等GaAs PHEMT开关模型的研究[J]，半导体技术，2006，31(3)，PP．183—185．
[7]W．R．Curtice，A MESFET model for use in the design of GaAs integrated circuits[J]，IEEE Trans．Microwave Theory Tech，1985，33，129—135。
[8]AYASLI，Y．，VOURHAUS，J．PUCEL，R．et．Monolithic GaAs distributed FET switch circuits[C]，Proceedings of IEEE GaAs IC Symposium，San Diego，1981．
[9]Inder Bahl，Prakash Bhartia Microwave Solid State Circuit Design[M]Second Edition，John Wiley&Sons Inc．2002，453—456．
[I0]McKENZIE，W．，BARRY，D．M．，SNOWDEN，C．M．et a1．Computer—aided design of MMIC structures[J]，lEE Proceedings，1986，405～410．
[11]KATZIN，P．，BEDARD，B．，SHFRIN，M．，et a1．High speed，100+WRF switches using GaAs MMICs[J]，IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，1992，40(1 1)，PP．1981996．
[12]Chang，K．I．Bahl，and V．Nair，RF and Microwave Circuit and Component[M]Design for Wireless Systems，Wiley，New York，2002，Chap．7
[13]Engineering applications of electromagnetic field solvers[C]，IEEE～NTT-S Workshop Notes，San Diego，1994．
[14]Fisher，D．，and I．Bahl，Gallium Arsenide IC Applications Handbook[C]，Academic，San Diego，CA，1995
[15]Bahl，I．J．，Monolithic Microwave Integrated Circuits[C]，in Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics，Wiley，New York，1999，13，PP．490—513
[16]R．V．Ghita etel，Studies of Ohmic contact and Schottky Barriers ob Au—Ge／GaAs and Au-Ti／GaAs[C]，Jour．of Optoelectronics and Adv．Mat．，2005，7，3033—3037．
[17]Hung-Cheng Ling et al，Optimization of AuGe—Ni—Au ohmic contacts for GaAs MOSFETs[J]，IEEE Trans．on Elect．Dev．，2003，50(4)，880-885