SR型静止无功补偿装置属于第一代静止补偿器，它具有快速、可靠、过载能力强、产生谐波小和一定的抑制三相不平衡的能力等优点。但是由于这种装置中的饱和电抗器造价高，约为一般电抗器的4倍，并且电抗器的硅钢片长期处于饱和状态，铁心损耗比并联电抗器大2-3倍，另外这种装置还有振动和噪声，而且调整时间长，动态补偿速度慢，由于具有这些缺点，所有饱和电抗器的静止无功补偿器目前应用的较少，一般只在高压输电线路才有使用[4]。
2)    晶闸管控制电抗器(TCR)
晶闸管控制电抗器（Thyristor Controlled Reactor - TCR）的基本原理如图1-1所示。控制元件是可控硅控制器，在图中表示成为两个以相反极性并联的即反并联的可控硅，它们在电源电压的不同半周轮流导通。如果可控硅在电源电压峰值是准确地导通，就可使电抗器完全导电，其中的电流就和可控硅控制器被短路掉了的一样。电流基本上是无功的，滞后于电压约90°，其中包含少量的同相分量，它是由电抗器的功率耗损决定的。其数量级约为无功功率的0.5%-2%。 单片机控制的低压无功功率补偿器设计+SVG数学模型(4):http://www.751com.cn/zidonghua/lunwen_38171.html