晶体管9,13,14,15,16,17
。每一个单层 MoS2是S-Mo-S 的”三明治“结构，因为 Mo 原子
对 S 原子的极化效应，使得 MoS2层内以共价键结合在一起。其中 Mo 原子和 S
原子通过共价键结合为三方柱面体结构，共价键的键长为2.42Å18,19
。而 MoS2层
与层之间是以较微弱的范德华力结合在一起的，因此可以通过机械剥离制备出单
层或多层的MoS2，这种剥离出的表面对器件的制备非常理想5,9,19,20,21
。
有趣的是，这种层状结构相对应的是 MoS2的性质与其层的厚度有非常密切
的联系，其中单层MoS2的性质非常有趣4
。块状 MoS2在价带的Γ 点和导带的 Γ-К
之间有间接带隙1.2eV（如图4所示），然而单层 MoS2在高对称К点有直接带隙
1.9eV5,22,23
，并且具有增强的光致发光效应，这种效应与 MoS2的间接带隙到直接
带隙的转变有关4
。如图1.4所示为石墨烯和层状 MoS2的能带图，由图中可以明确的看出MoS2由块状到单层时的能带转变。  硫化物二维半导体性能模拟(3):http://www.751com.cn/cailiao/lunwen_13862.html