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C掺杂1DZnWO4纳米材料的制备及其光催化性能的研究 (2)

时间:2018-05-24 17:43来源:毕业论文
1.2 国内外 研究现状 1.2.1 对钨酸盐类化合物光催化性能研究 1.2.2 对钨酸锌纳米级材料的研究现状 2.基本理论 2.1 光催化的原理 2.1.1 光催化原理 纳米材料


1.2 国内外研究现状
1.2.1  对钨酸盐类化合物光催化性能研究
1.2.2 对钨酸锌纳米级材料的研究现状
2.基本理论
2.1 光催化的原理
2.1.1 光催化原理
     纳米材料的光催化性能是其独特的一种性能之一,我们所熟知的光催化的作用原理一般是用紫外光或是可见光来照射所需测定的材料,如果所吸收的光子的能量大于其禁带宽度,这时材料本省就会激发出空穴和电子,这些被激发出来的空穴和电子一部分会迁移到材料的表面,此时其表面就会呈现出带有多余的电荷,同时,我们知道,在材料的表面存在着电子受体和电子给体,当这些多余的电荷能够在材料的表面与电子受体和给体分别发生还原和氧化反应时,这个过程就是光催化的过程。这个过程中会伴随着大分子的有机物得到有效降解的进行。光催化的能源来自于光照,我们通常会采用紫外光和可见光来进行光照的测定,其本质是利用光来激发半导体材料,我们知道激发之后材料的表面会产生空穴和电子,利用其间的氧化和还原反应来实现其技术的。另一方面,从能带结构理论的角度从发,半导体的粒子空间结构是比较受限制的,所以其电子的Fermi能级也是断开的,这就区别于金属导体,因为金属导体的Fermi能级是连续的。               在半导体的粒子结构中,分子或原子的轨道中存在空的价带即有空的能量区域,从充满电子的价带的顶端到导带的低端,这一部分就被称为禁带宽度,其符号是Eg,这个单位的大小就是价带与导带之间的能量差。 C掺杂1DZnWO4纳米材料的制备及其光催化性能的研究 (2):http://www.751com.cn/cailiao/lunwen_16277.html
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